机构

• 半导体研究所 [3]
• 物理研究所 [1]
• 金属研究所 [1]
• 国家空间科学中心 [1]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2009 [1]
• 2006 [1]
• 2003 [1]
• 1999 [3]

学科主题

• 半导体化学 [1]
• 半导体材料 [1]
• 半导体物理 [1]
• 空间技术 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 First-principles studies of the atomic reconstructions of CdSe (001) and (111) surfaces 期刊论文  OAI收割 Journal of Physics-Condensed Matter, 2009, 卷号: 21, 期号: 9 L. Zhu; K. L. Yao; Z. L. Liu; Y. B. Li 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/04/13 ab-initio calculations  ii-vi-compounds  electronic-structure  wurtzite  cdse  gaas(100) surfaces  cleavage faces  thin-film  nanocrystals  cdte  dependence   Mechanism of low energy S+ ion bombarded p-GaAs (100) 期刊论文  OAI收割 Materials Letters, 2006, 卷号: 60, 期号: 25-26, 页码: 3084-3087 Zhao, Q.; Zhai, G. J.; Kwok, R. W. M. 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2014/04/30 GaAs (100) surfaces  semiconductors  sulfur passivation  ion  implantation  sulfide passivation  gaas  surfaces  sulfur  performance   Electronic properties of sulfur passivated undoped-n(+) type GaAs surface studied by photoreflectance 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 2003, 卷号: 218, 期号: 1-4, 页码: 210-214 作者:  Jin P 收藏  |  浏览/下载：474/3  |  提交时间：2010/08/12 sulfur passivation  Franz-Keldysh oscillations  undoped-n(+) type GaAs  complex Fourier transformation  FRANZ-KELDYSH OSCILLATIONS  GAAS(001) SURFACES  GAAS(100)  PHOTOEMISSION  SPECTROSCOPY  ENHANCEMENT   Morphology and photoluminescence of GeSi self-assembled quantum dot on Si(113) 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 1999, 卷号: 48, 期号: 9, 页码: 1745 Si, JJ; Yang, QQ; Teng, D; Wang, HJ; Yu, JZ; Wang, QM; Guo, LW; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2013/09/18 SCANNING-TUNNELING-MICROSCOPY  ROOM-TEMPERATURE  GAAS-SURFACES  HIGH-INDEX  GROWTH  INGAAS  SUPERLATTICES  SI(100)  EPITAXY   Morphology and photoluminescence of GeSi self-assembled quantum dot on Si(113) 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 1999, 卷号: 48, 期号: 9, 页码: 1745-1750 Si JJ; Yang QQ; Teng D; Wang HJ; Yu JZ; Wang QM; Guo LW; Zhou JM 收藏  |  浏览/下载：64/0  |  提交时间：2010/08/12 SCANNING-TUNNELING-MICROSCOPY  ROOM-TEMPERATURE  GAAS-SURFACES  HIGH-INDEX  GROWTH  INGAAS  SUPERLATTICES  SI(100)  EPITAXY   In composition dependence of lateral ordering in InGaAs quantum dots grown on (311)B GaAs substrates 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 1999, 卷号: 141, 期号: 1-2, 页码: 101-106 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：68/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dot array  InxGa1-xAs self-assembly  molecular beam epitaxy  GaAs (311)B  high-index  surface structure  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  SELF-ORGANIZATION  PHASE EPITAXY  INAS  SURFACES  MICROSTRUCTURES  GAAS(100)  ALIGNMENT  MOLECULAR-BEAM EPITAXY