机构

• 半导体研究所 [3]
• 长春光学精密机械与物... [2]
• 物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2018 [2]
• 2006 [1]
• 2003 [1]
• 1998 [2]

学科主题

• 半导体材料 [2]
• 光电子学 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Defect evolution in AlN templates on PVD-AlN-sapphire substrates by thermal annealing 期刊论文  OAI收割 Crystengcomm, 2018, 卷号: 20, 期号: 32, 页码: 4623-4629 作者:  Ben, J. W.;  Sun, X. J.;  Jia, Y. P.;  Jiang, K.;  Shi, Z. M.   |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/09/17 light-emitting-diodes  high-quality aln  growth  temperature  sapphire  algan  efficiency  ratio  Chemistry  Crystallography   AlGaN photonics_recent advances in materials and ultraviolet devices 期刊论文  OAI收割 Advances in Optics and Photonics, 2018, 卷号: 10, 期号: 1, 页码: 43-110 作者:  Li, D. B.;  Jiang, K.;  Sun, X. J.;  Guo, C. L.   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/09/17 light-emitting-diodes  high-quality aln  temperature  stimulated-emission  2nd-order optical-response  atomic-layer epitaxy  vapor-phase epitaxy  z-scan measurement  p-type conduction  room-temperature  avalanche photodiodes  Optics   Reduction of dislocations in GaN epilayer grown on Si (111) substrates using a GaN intermedial layer 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 2591-2594 Wang JF (Wang Jian-Feng); Zhang BS (Zhang Bao-Shun); Zhang JC (Zhang Ji-Cai); Zhu JJ (Zhu Jian-Jun); Wang YT (Wang Yu-Tian); Chen J (Chen Jun); Liu W (Liu Wei); Jiang DS (Jiang De-Sheng); Yao DZ (Yao Duan-Zheng); Yang H (Yang Hui) 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/04/11 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  HIGH-QUALITY GAN  ALN BUFFER LAYER  NUCLEATION LAYER  PHASE EPITAXY  EVOLUTION  DENSITY  SILICON  STRESS  SI   Influence of high-temperature AIN buffer thickness on the properties of GaN grown on Si(111) 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 258, 期号: 1-2, 页码: 34-40 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：314/12  |  提交时间：2010/08/12 metalorganic chemical vapor deposition  nitrides  semiconductor III-V materials  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HIGH-QUALITY GAN  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  INTERMEDIATE LAYER  ALAS  ALN  SURFACES  SILICON  FILMS   The growth and characterization of GaN grown on an Al2O3 coated (001)Si substrate by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 484 Wang, LS; Liu, XL; Zan, YD; Wang, D; Lu, DC; Wang, ZG; Wang, YT; Cheng, LS; Zhang, Z 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2013/09/23 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  SINGLE CRYSTALLINE GAN  HIGH-QUALITY GAN  INTERMEDIATE LAYER  BUFFER LAYERS  SI  FILMS  ALN  DEPOSITION  SAPPHIRE   The growth and characterization of GaN grown on an Al2O3 coated (001)Si substrate by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 484-490 Wang LS; Liu XL; Zan YD; Wang D; Lu DC; Wang ZG; Wang YT; Cheng LS; Zhang Z 收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2010/08/12 GaN  MOVPE growth  Al2O3 coated Si substrate  crystal structure  photoluminescence spectrum  SINGLE CRYSTALLINE GAN  HIGH-QUALITY GAN  INTERMEDIATE LAYER  BUFFER LAYERS  SI  FILMS  ALN  DEPOSITION  SAPPHIRE  MOLECULAR-BEAM EPITAXY