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内容类型

• 期刊论文 [32]
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发表日期

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浏览/检索结果: 共36条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 Improvement in the charge dissipation performance of epoxy resin composites by incorporating amino-modified boron nitride nanosheets 期刊论文  OAI收割 Materials Letters, 2021, 卷号: 298 作者:  He, Shaojian;  Luo, Chumeng;  Zheng, Youzhe;  Xue, Yang;  Song, Xupeng   |  收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2023/06/21 Nanosheets - Nitrides - Urea - Fillers - Boron nitride - III-V semiconductors   Improved thermal conductivity of styrene acrylic resin with carbon nanotubes, graphene and boron nitride hybrid fillers 期刊论文  OAI收割 Carbon Resources Conversion, 2021, 卷号: 4, 页码: 190-196 作者:  Jia, Fuhua;  Fagbohun, Emmanuel Oluwaseyi;  Wang, Qianyu;  Zhu, Duoyin;  Zhang, Jianling   |  收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2023/06/21 Aggregates - Nitrides - Boron nitride - Temperature - Graphene - III-V semiconductors - Multiwalled carbon nanotubes (MWCN) - Resins - Fillers - Gas emissions - Thermal conductivity   Abnormal InGaN growth behavior in indium-desorption regime in metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2015, 卷号: 409, 期号: 0, 页码: 51-55 作者:  Zhou, K(周堃);  Ikeda, M;  Liu, JP(刘建平);  Zhang, SM(张书明);  Li, ZC(李增成) 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2015/02/03 Growth models  Metalorganic vapor phase epitaxy  Nitrides  Semiconducting III-V materials   Influence of substrate surface defects on the homoepitaxial growth of GaN (0001) by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2015, 卷号: 416, 页码: 7 作者:  Zhou, K(周堃);  Liu, JP(刘建平);  Ikeda, M;  Zhang, SM(张书明);  Li, DY(李德尧) 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2015/12/31 Surface structure  Metalorganic vapor phase epitaxy  Nitrides  Semiconducting III-V materials   Hillock formation and suppression on c-plane homoepitaxial GaN Layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2013, 卷号: 371, 期号: 0, 页码: 7-10 作者:  Li, DY(李德尧);  Zhang, SM(张书明);  Liu, JP(刘建平);  Zhang, LQ(张立群);  Yang, H(杨辉) 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2014/01/13 Surface structure  Metalorganic vapor phase epitaxy  Nitrides  Semiconducting III-V materials   Structural, electronic, and optical properties of wurtzite and rocksalt InN under pressure 期刊论文  OAI收割 Physical Review B, 2010, 卷号: 81, 期号: 3 M. Y. Duan; L. He; M. Xu; M. Y. Xu; S. Y. Xu; K. Ostrikov 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2012/04/13 density-functional theory  iii-v nitrides  indium nitride  stability  energy  gap   Structural, thermodynamic and electronic properties of zinc-blende AlN from first-principles calculations 期刊论文  OAI收割 Chinese Physics B, 2009, 卷号: 18, 期号: 3, 页码: 1207-1213 W. Zhang; Y. Cheng; J. Zhu; X. R. Chen 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2012/04/13 local density approximation (LDA)  thermodynamic properties  band  structure  AlN  iii-v nitrides  elastic-constants  molecular-dynamics  ab-initio  gan  phase  pressure  inn  bn  semiconductors   Growth of GaN single crystals by Ca(3)N(2) flux 期刊论文  OAI收割 Scripta Materialia, 2008, 卷号: 58, 期号: 4, 页码: 319-322 G. Wang; W. X. Yuan; J. K. Jian; H. Q. Bao; J. F. Wang; X. L. Chen; J. K. Liang 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/04/13 CALPHAD  single crystal growth  nitride  vapor-phase epitaxy  iii-v nitrides  bulk gan  thermodynamic assessment  na flux  pressure  gallium  system  mechanism  devices   First-principles calculations of structure and high pressure phase transition in gallium nitride 期刊论文  OAI收割 Chinese Physics, 2007, 卷号: 16, 期号: 12, 页码: 3772-3776 L. N. Tan; C. E. Hu; B. R. Yu; X. R. Chen 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/04/13 transition phase  generalized gradient approximation  GaN  generalized gradient approximation  density-functional calculations  iii-v nitrides  thermodynamic properties  elastic-constants  epitaxial-growth  001 silicon  gan  inn  simulation   The role of sb in the molecular beam epitaxy growth of 1.30-1.55 mu m wavelength gainnas/gaas quantum well with high indium content 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2006, 卷号: 290, 期号: 2, 页码: 494-497 作者:  Wu, DH;  Niu, ZC;  Zhang, SY;  Ni, HQ;  He, ZH 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2019/05/12 Photoluminescence  Molecular beam epitaxy  Quantum wells  Nitrides  Semiconducting iii-v materials