机构

• 半导体研究所 [2]
• 物理研究所 [1]
• 苏州纳米技术与纳米仿... [1]

采集方式

• OAI收割 [3]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2013 [2]
• 2010 [2]

学科主题

• 半导体材料 [1]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 High-quality InGaN epilayers grown by PA-MBE and abnormal incorporation behavior of Indium into InGaN 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 2013, 卷号: 62, 期号: 8 作者:  Yang, H(杨辉);  Wang, JF(王建峰) 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2014/01/13 InGaN epilayer  plasma-assisted molecular beam epitaxy  indium incorporation  crystalline quality   Effect of InxGa1-xN "continuously graded" buffer layer on InGaN epilayer grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2013, 卷号: 22, 期号: 10 Qian, WN; Su, SC; Chen, H; Ma, ZG; Zhu, KB; He, M; Lu, PY; Wang, G; Lu, TP; Du, CH; Wang, Q; Wu, WB; Zhang, WW 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2014/01/16 InGaN  reciprocal space map  indium incorporation  surface morphology   A study of indium incorporation in in-rich ingan grown by movpe 期刊论文  iSwitch采集 Applied surface science, 2010, 卷号: 256, 期号: 10, 页码: 3352-3356 作者:  Guo, Y.;  Liu, X. L.;  Song, H. P.;  Yang, A. L.;  Xu, X. Q. 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2019/05/12 Movpe  In-rich ingan  Indium incorporation   A study of indium incorporation in In-rich InGaN grown by MOVPE 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 2010, 卷号: 256, 期号: 10, 页码: 3352-3356 作者:  Wei HY;  Song HP 收藏  |  浏览/下载：145/13  |  提交时间：2010/04/22 MOVPE  In-rich InGaN  Indium incorporation  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  CRITICAL THICKNESS  DROPLET FORMATION  PHASE-SEPARATION  TEMPERATURE  FILMS  HETEROSTRUCTURES  IMMISCIBILITY  INXGA1-XN