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• 近代物理研究所 [7]

采集方式

• OAI收割 [7]

内容类型

• 期刊论文 [5]
• 会议论文 [2]

发表日期

• 2015 [1]
• 2013 [2]
• 2004 [1]
• 2003 [3]

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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Azimuthal dependence of single-event and multiple-bit upsets in SRAM devices with anisotropic layout 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2015, 卷号: 26, 页码: 7 作者:  Duan Jing-Lai;  En Yun-Fei;  Xi Kai;  Mo Dan;  Luo Jie   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2018/05/31 Azimuth  Dual interlocked cell  Multiple-bit upset  Single event upset   Angular dependence of multiple-bit upset response in static random access memories under heavy ion irradiation 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2013, 卷号: 22 作者:  Liu Jie;  Yao Hui-Jun;  Mo Dan;  Duan Jing-Lai;  Su Hong   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2018/07/05 Single Event Effects  Effective Let Method  Multiple-bit Upset  Upset Cross Section   Monte Carlo evaluation of spatial multiple-bit upset sensitivity to oblique incidence 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2013, 卷号: 22 作者:  Geng Chao;  Mo Dan;  Yao Hui-Jun;  Duan Jing-Lai;  Sun You-Mei   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2018/07/05 Geant4  Multiple-bit Upset (Mbu)  Critical Charge  Spacing Between Adjacent Cells   The dependence of single event upset cross-section on incident angle 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 2004, 卷号: 53, 期号: 1, 页码: 566-570 作者:  Zhu, ZY;  Zhang, QX;  Hou, MD;  Liu, J;  Wang, ZG   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/10/29 SRAM  single event upset  multiple bit upset  incident angle  deposited energy   The impact of incident angle on multiple-bit upset in SRAMs 会议论文  OAI收割 作者:  Zhang, QX;  Hou, MD;  Liu, J;  Wang, ZG;  Jin, YF   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2018/08/20 multiple-bit upset  static random access memory  angular effect  energy deposited  lateral distribution   The impact of incident angle on multiple-bit upset in SRAMs 会议论文  OAI收割 作者:  Zhang, QX;  Hou, MD;  Liu, J;  Wang, ZG;  Jin, YF   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2018/08/20 multiple-bit upset  static random access memory  angular effect  energy deposited  lateral distribution   The impact of incident angle on multiple-bit upset in SRAMs 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2003, 卷号: 209, 期号: 2, 页码: 367-370 作者:  Zhang, QX;  Hou, MD;  Liu, J;  Wang, ZG;  Jin, YF   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2010/10/29 multiple-bit upset  static random access memory  angular effect  energy deposited  lateral distribution