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• 上海微系统与信息技术... [1]
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• 半导体研究所 [1]
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内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2016 [1]
• 2014 [1]
• 2012 [1]
• 2010 [1]

学科主题

• Physics [1]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Temperature-dependent electrical transport mechanism in amorphous Ge2Sb2Te5 films 期刊论文  OAI收割 PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, 2016, 卷号: 253, 期号: 9, 页码: 1855-1860 作者:  Wu, H. Y.;  Wang, W.;  Lu, W. J. 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2017/11/21 Amorphous Ge2sb2te5  Electrical Transport  Phase Change Memories  Variable Range Hopping   Characteristics and mechanism of Al1.3Sb3Te etched by Cl-2/BCl3 inductively coupled plasmas 期刊论文  OAI收割 MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2014, 卷号: 115, 页码: 51—54 Zhang, ZH; Song, SN; Song, ZT; Cheng, Y; Peng, C; Zhang, L; Cao, DC; Guo, XH; Yin, WJ; Wu, LC; Liu, B 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2015/03/13 PHASE-CHANGE MATERIALS  MEMORIES   Ti10Sb60Te30 for phase change memory with high-temperature data retention and rapid crystallization speed 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 100, 期号: 12, 页码: 122101 Zhu, M; Wu, LC; Song, ZT; Rao, F; Cai, DL; Peng, C; Zhou, XL; Ren, K; Song, SN; Liu, B; Feng, SL 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2013/04/17 antimony alloys  crystallisation  metallic thin films  phase change materials  phase change memories  tellurium alloys  titanium alloys   Fully lithography independent fabrication of nanogap electrodes for lateral phase-change random access memory application 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2010, 卷号: 96, 期号: 21, 页码: 3 作者:  Zhang, Jiayong;  Wang, Xiaofeng;  Wang, Xiaodong;  Ma, Huili;  Cheng, Kaifang 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2019/05/12 Chalcogenide glasses  Electrodes  Lithography  Nanoelectronics  Nanofabrication  Phase change memories  Power consumption