机构

• 金属研究所 [2]
• 半导体研究所 [2]
• 上海微系统与信息技术... [1]

采集方式

• OAI收割 [4]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [5]

发表日期

• 2012 [1]
• 2011 [4]

学科主题

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• 半导体材料 [1]

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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 The Effect of AlN Nucleation Temperature on the Growth of AlN Films via Metalorganic Chemical Vapor Deposition 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2012, 卷号: 41, 期号: 3, 页码: 466-470 Wang, H; Li, SL; Xiong, H; Wu, ZH; Dai, JN; Tian, Y; Fang, YY; Chen, CQ 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2013/04/17 Aluminum nitride  nucleation  pulsed atomic layer epitaxy  metalorganic chemical vapor deposition   Characteristics of high al content algan grown by pulsed atomic layer epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 20, 页码: 8718-8721 作者:  Pan, Xu;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei;  Yang, Cuibai 收藏  |  浏览/下载：187/0  |  提交时间：2019/05/12 Photoluminescence  Raman scattering  Pulsed atomic layer epitaxy  Algan alloys   Characteristics of high Al content AlGaN grown by pulsed atomic layer epitaxy 期刊论文  OAI收割 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2011, 卷号: 257, 期号: 20, 页码: 8718-8721 作者:  Pan, Xu;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei;  Yang, Cuibai   |  收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2021/02/02 Photoluminescence  Raman scattering  Pulsed atomic layer epitaxy  AlGaN alloys   Characteristics of high Al content AlGaN grown by pulsed atomic layer epitaxy 期刊论文  OAI收割 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2011, 卷号: 257, 期号: 20, 页码: 8718-8721 作者:  Pan, Xu;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei;  Yang, Cuibai   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2021/02/02 Photoluminescence  Raman scattering  Pulsed atomic layer epitaxy  AlGaN alloys   Characteristics of high Al content AlGaN grown by pulsed atomic layer epitaxy 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 20, 页码: 8718-8721 作者:  Jin P 收藏  |  浏览/下载：63/4  |  提交时间：2011/07/07 Photoluminescence  Raman scattering  Pulsed atomic layer epitaxy  AlGaN alloys