机构

• 半导体研究所 [4]
• 物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [4]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [5]

发表日期

• 2014 [1]
• 2011 [2]
• 2003 [2]

学科主题

• 半导体材料 [3]

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Step flow and polytype transformation in growth of 4H-SiC crystals 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2014, 卷号: 394, 页码: 126 Liu, CJ; Chen, XL; Peng, TH; Wang, B; Wang, WJ; Wang, G 收藏  |  浏览/下载：240/0  |  提交时间：2015/04/14 Surface structure  Polytype transformation  Single crystal growth  Silicon carbide  Semiconducting materials   High-Performance4H-SiC-based metal-insulator-semiconductor ultraviolet photodetectors with SiO2 and Al2O3SiO2 Films 期刊论文  OAI收割 ieee electron device letters, 2011, 卷号: 32, 期号: 12, 页码: 1722-1724 Zhang, Feng; Sun, Guosheng; Huang, Huolin; Wu, Zhengyun; Wang, Lei; Zhao, Wanshun; Liu, Xingfang; Yan, Guoguo; Zheng, Liu; Dong, Lin; Zeng, Yiping 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2012/06/14 Integrated circuits  Metal insulator boundaries  Photodetectors  Semiconducting silicon compounds  Semiconductor insulator boundaries  Silicon carbide   Effect of annealing process on the surface roughness in multiple Al implanted4H-SiC 期刊论文  OAI收割 journal of semiconductors, 2011, 卷号: 32, 期号: 7, 页码: 72002 Wu, Hailei; Sun, Guosheng; Yang, Ting; Yan, Guoguo; Wang, Lei; Zhao, Wanshun; Liu, Xingfang; Zeng, Yiping; Wen, Jialiang 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2012/06/14 Aluminum  Annealing  Ion implantation  Pressure effects  Semiconducting silicon compounds  Silicon carbide  Surface roughness   Strain accommodation of 3c-sic grown on hydrogen-implanted si (001) substrate 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2003, 卷号: 257, 期号: 3-4, 页码: 321-325 作者:  Zhang, ZC;  Chen, YH;  Li, DB;  Zhang, FQ;  Yang, SY 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Substrate  Heteroepitaxy  Low pressure chemical vapor deposition  Semiconducting silicon carbide   Strain accommodation of 3C-SiC grown on hydrogen-implanted Si (001) substrate 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 257, 期号: 3-4, 页码: 321-325 作者:  Li DB 收藏  |  浏览/下载：73/0  |  提交时间：2010/08/12 substrate  heteroepitaxy  low pressure chemical vapor deposition  semiconducting silicon carbide  COMPLIANT SUBSTRATE  CRITICAL THICKNESS  SILICON  RELAXATION  MECHANISM  DEFECTS  LAYERS