机构

• 半导体研究所 [4]
• 物理研究所 [1]
• 金属研究所 [1]
• 武汉物理与数学研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [6]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [6]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2016 [1]
• 2010 [2]
• 2002 [2]
• 1995 [1]
• 1992 [1]

学科主题

• 半导体材料 [2]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 Stability, bonding, and electronic properties of silicon and germanium arsenides 期刊论文  OAI收割 PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, 2016, 卷号: 253, 期号: 5, 页码: 862-867 作者:  Wu, Ping;  Huang, Min 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2016/07/12 computational physics  density-functional theory  electronic structure  germanium arsenide  Si/Ge vacancy  silicon arsenide   Delay of the excited state lasing of 1310 nm inas/gaas quantum dot lasers by facet coating 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2010, 卷号: 96, 期号: 17, 页码: 3 作者:  Cao, Yu-Lian;  Yang, Tao;  Xu, Peng-Fei;  Ji, Hai-Ming;  Gu, Yong-Xian 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2019/05/12 Excited states  Gallium arsenide  Iii-v semiconductors  Indium compounds  Laser tuning  Optical films  Quantum dot lasers  Silicon compounds  Tantalum compounds   Delay of the excited state lasing of 1310 nm InAs/GaAs quantum dot lasers by facet coating 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2010, 卷号: 96, 期号: 17, 页码: art. no. 171101 Cao YL (Cao Yu-Lian); Yang T (Yang Tao); Xu PF (Xu Peng-Fei); Ji HM (Ji Hai-Ming); Gu YX (Gu Yong-Xian); Wang XD (Wang Xiao-Dong); Wang Q (Wang Qing); Ma WQ (Ma Wen-Quan); Chen LH (Chen Liang-Hui) 收藏  |  浏览/下载：233/51  |  提交时间：2010/05/24 excited states  gallium arsenide  III-V semiconductors  indium compounds  laser tuning  optical films  quantum dot lasers  silicon compounds  tantalum compounds  TEMPERATURE-DEPENDENCE  THRESHOLD  PERFORMANCE  GAIN   Indentation induced amorphization in gallium arsenide 期刊论文  OAI收割 Materials Science and Engineering a-Structural Materials Properties Microstructure and Processing, 2002, 卷号: 337, 期号: 1-2, 页码: 21-24 Z. C. Li; L. Liu; X. Wu; L. L. He; Y. B. Xu 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2012/04/14 indentation  amorphization  gallium arsenide  phase-transition  high-pressure  silicon  hardness  microindentation  crystals   Space-grown SI-GaAs and its application 会议论文  OAI收割 12th international semicoducting and insulating materials conference (simc-xii2002), smolenice, slovakia, jun 30-jul 05, 2002 Chen NF; Zhong XG; Zhang M; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/10/29 SEMIINSULATING GALLIUM-ARSENIDE  FLOATING-ZONE GROWTH  CRYSTAL-GROWTH  ZERO GRAVITY  MICROGRAVITY  SEGREGATION  STOICHIOMETRY  SILICON  DEFECTS  INSB   PHOTOINDUCED CHANGES OF HYDROGEN-BONDING IN SEMIINSULATING IRON-DOPED INDIUM-PHOSPHIDE 期刊论文  OAI收割 solid state communications, 1995, 卷号: 95, 期号: 12, 页码: 851-854 PAJOT B; SONG CY; DARWICH R; GENDRON F; EWELS C 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/11/17 SEMICONDUCTORS  IMPURITIES  OPTICAL PROPERTIES  LIGHT ABSORPTION  ELECTRON-PARAMAGNETIC-RESONANCE  CRYSTALLINE SILICON  MOLECULAR-HYDROGEN  GALLIUM-ARSENIDE  INP  COMPLEXES  LEVEL   TEM OBSERVATION OF GAAS ON SI(100) GROWN BY MBE 期刊论文  OAI收割 VACUUM, 1992, 卷号: 43, 期号: 11, 页码: 1055 ZHOU, JM; CHEN, H; LI, FH; LIU, S; MEI, XB; HUANG, Y 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2013/09/23 GALLIUM-ARSENIDE  SILICON