机构

• 半导体研究所 [5]

采集方式

• OAI收割 [3]
• iSwitch采集 [2]

内容类型

• 期刊论文 [5]

发表日期

• 2004 [4]
• 2003 [1]

学科主题

• 半导体材料 [2]
• 光电子学 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 Effect of the ratio of tmin flow to group iii flow on the properties of ingan/gan multiple quantum wells 期刊论文  iSwitch采集 Acta physica sinica, 2004, 卷号: 53, 期号: 8, 页码: 2467-2471 作者:  Zhang, JC;  Wang, JF 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2019/05/12 Triple-axis x-ray diffraction  Interface roughness  Dislocation density  Ingan/gan multiple quantum wells   Structural and optical properties of quaternary alingan epilayers grown by mocvd with various tmga flows 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2004, 卷号: 260, 期号: 3-4, 页码: 388-393 作者:  Liu, JP;  Zhang, BS;  Wu, M;  Li, DB;  Zhang, JC 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2019/05/12 Triple-axis x-ray diffraction  Atomic force microscopy  Metalorganic chemical vapor deposition  Alingan quaternary alloys   Effect of the ratio of TMIn flow to group III flow on the properties of InGaN/GaN multiple quantum wells 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2004, 卷号: 53, 期号: 8, 页码: 2467-2471 Zhang, JC; Wang, JF; Wang, YT; Hui, Y 收藏  |  浏览/下载：156/36  |  提交时间：2010/03/09 triple-axis x-ray diffraction   Structural and optical properties of quaternary AlInGaN epilayers grown by MOCVD with various TMGa flows 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 260, 期号: 3-4, 页码: 388-393 作者:  Li DB 收藏  |  浏览/下载：268/57  |  提交时间：2010/03/09 triple-axis X-ray diffraction   Method for measurement of lattice parameter of cubic GaN layers on GaAs (001) 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 345-348 Zheng XH; Wang YT; Feng ZH; Yang H; Chen H; Zhou JM; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/08/12 in-plane strain  lattice parameters  triple-axis diffraction  c-GaN  GROWTH  FILMS