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机构
半导体研究所 [2]
采集方式
iSwitch采集 [1]
OAI收割 [1]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2010 [2]
学科主题
半导体材料 [1]
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浏览/检索结果:
共2条,第1-2条
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Measurement of w-inn/h-bn heterojunction band offsets by x-ray photoemission spectroscopy
期刊论文
iSwitch采集
Nanoscale research letters, 2010, 卷号: 5, 期号: 8, 页码: 1340-1343
作者:
Liu, J. M.
;
Liu, X. L.
;
Xu, X. Q.
;
Wang, J.
;
Li, C. M.
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/05/12
Valence band offset
W-inn/h-bn heterojunction
X-ray photoelectron spectroscopy
Conduction band offset
Valence band offset
Measurement of w-InN/h-BN Heterojunction Band Offsets by X-Ray Photoemission Spectroscopy
期刊论文
OAI收割
nanoscale research letters, 2010, 卷号: 5, 期号: 8, 页码: 1340-1343
Liu JM (Liu J. M.)
;
Liu XL (Liu X. L.)
;
Xu XQ (Xu X. Q.)
;
Wang J (Wang J.)
;
Li CM (Li C. M.)
;
Wei HY (Wei H. Y.)
;
Yang SY (Yang S. Y.)
;
Zhu QS (Zhu Q. S.)
;
Fan YM (Fan Y. M.)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
收藏
  |  
浏览/下载:156/21
  |  
提交时间:2010/08/17
Valence band offset
w-InN/h-BN heterojunction
X-ray photoelectron spectroscopy
Conduction band offset
Valence band offset
NEGATIVE ELECTRON-AFFINITY
INDIUM NITRIDE
WURTZITE GAN
SURFACE
FILM
ALN
TRANSPORT
EMISSION
NAXWO3
GROWTH