中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页 机构 成果 学者
  
  1. CAS IR Grid
机构
  • 西安光学精密机械研... [16]
采集方式
内容类型
发表日期
  • 1980 [16]
学科主题
筛选

浏览/检索结果: 共16条，第1-10条 帮助

限定条件                    
条数/页： 排序方式：
Semiconductor light emitting device and manufacture thereof 专利  OAI收割
专利号: JP1980158689A, 申请日期: 1980-12-10, 公开日期: 1980-12-10
作者:  SASAYA YUKIHIRO
  |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/18
Light transmitter 专利  OAI收割
专利号: JP1980154791A, 申请日期: 1980-12-02, 公开日期: 1980-12-02
作者:  MITA AKIRA
  |  收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2020/01/18
Injection laser devices 专利  OAI收割
专利号: GB2046005A, 申请日期: 1980-11-05, 公开日期: 1980-11-05
作者:  -
  |  收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/31
Semiconductor laser and manufacturing the same 专利  OAI收割
专利号: JP1980141777A, 申请日期: 1980-11-05, 公开日期: 1980-11-05
作者:  WADA MASARU;  SUGINO TAKASHI;  SHIMIZU HIROICHI;  ITOU KUNIO
  |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/18
Laser light emitting element 专利  OAI收割
专利号: JP1980110089A, 申请日期: 1980-08-25, 公开日期: 1980-08-25
作者:  -
  |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31
Single filament semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: US4215319, 申请日期: 1980-07-29, 公开日期: 1980-07-29
作者:  BOTEZ, DAN
  |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/26
Semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: JP1980095389A, 申请日期: 1980-07-19, 公开日期: 1980-07-19
作者:  KANEDA TETSUYA;  NAWATA KIYOSHI
  |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2020/01/13
Manufacture of semiconductor light emitting device 专利  OAI收割
专利号: JP1980095386A, 申请日期: 1980-07-19, 公开日期: 1980-07-19
作者:  
  |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/01/18
Semiconductor laser element having a unitary film on a laser crystal and a heat sink thereof 专利  OAI收割
专利号: US4210878, 申请日期: 1980-07-01, 公开日期: 1980-07-01
作者:  YONEZU, HIROO
  |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/23
Periodic monolayer semiconductor structures grown by molecular beam epitaxy 专利  OAI收割
专利号: US4205329, 申请日期: 1980-05-27, 公开日期: 1980-05-27
作者:  DINGLE, RAYMOND;  GOSSARD, ARTHUR C.;  PETROFF, PIERRE M.;  WIEGMANN, WILLIAM
  |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/26