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西安光学精密机械研... [36]
采集方式
OAI收割 [36]
内容类型
专利 [36]
发表日期
1983 [36]
学科主题
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共36条,第1-10条
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发表日期:1983
专题:西安光学精密机械研究所
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第一作者单位
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Distributed bragg reflection type laser
专利
OAI收割
专利号: JP1983216492A, 申请日期: 1983-12-16, 公开日期: 1983-12-16
作者:
NIINA TATSUHIKO
;
YOSHITOSHI KEIICHI
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提交时间:2019/12/31
Semiconductor laser driving device
专利
OAI收割
专利号: JP1983199446A, 申请日期: 1983-11-19, 公开日期: 1983-11-19
作者:
KATASE YOSHIHIRO
;
MIURA MICHIO
;
OONUKI HIDEO
;
TAKEDA KATSUNOBU
;
HATSUTORI OSAMU
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提交时间:2019/12/31
Method for liquid phase epitaxial growth
专利
OAI收割
专利号: JP1983196014A, 申请日期: 1983-11-15, 公开日期: 1983-11-15
作者:
KASHIWADA YASUTOSHI
;
KAJIMURA TAKASHI
;
AIKI KUNIO
;
SHIGE NORIYUKI
;
SAWAI MASAAKI
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提交时间:2020/01/18
Substrate for growing compound semiconductor and manufacture of compound semiconductor
专利
OAI收割
专利号: JP1983191421A, 申请日期: 1983-11-08, 公开日期: 1983-11-08
作者:
KONDOU YOUJIROU
;
MATSUMOTO YOSHINARI
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: JP1983186987A, 申请日期: 1983-11-01, 公开日期: 1983-11-01
作者:
MOGI NAOTO
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提交时间:2020/01/13
Manufacture of semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1983182890A, 申请日期: 1983-10-25, 公开日期: 1983-10-25
作者:
FUJI TATSUO
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提交时间:2020/01/13
Growth method for semiconductor crystal
专利
OAI收割
专利号: JP1983175825A, 申请日期: 1983-10-15, 公开日期: 1983-10-15
作者:
OOTA KAZUNARI
;
YOSHIKAWA AKIO
;
SUGINO TAKASHI
;
KAZUMURA MASARU
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提交时间:2019/12/31
Semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1983162087A, 申请日期: 1983-09-26, 公开日期: 1983-09-26
作者:
HAMADA HIROYOSHI
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1983162089A, 申请日期: 1983-09-26, 公开日期: 1983-09-26
作者:
HAMADA HIROYOSHI
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提交时间:2020/01/18
Photo-semiconductor device
专利
OAI收割
专利号: JP1983161389A, 申请日期: 1983-09-24, 公开日期: 1983-09-24
作者:
MORIMOTO MASAHIRO
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提交时间:2020/01/18