机构

• 半导体研究所 [5]
• 近代物理研究所 [4]

采集方式

• OAI收割 [9]

内容类型

• 会议论文 [9]

发表日期

• 1998 [9]

学科主题

• 光电子学 [2]
• 半导体材料 [2]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 发表日期：1998    内容类型：会议论文     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Modification of defects induced by nuclear collisions in Fe and Ni in electronic stopping power regime 会议论文  OAI收割 作者:  Wang, ZG;  Dufour, C;  Jin, YF;  Hou, MD;  Jin, GM   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2018/08/20 electronic energy loss  thermal spike  vacancy and interstitial  defect production and annealing  damage efficiency  recombination cross section   Modification of defects induced by nuclear collisions in Fe and Ni in electronic stopping power regime 会议论文  OAI收割 作者:  Wang, ZG;  Dufour, C;  Jin, YF;  Hou, MD;  Jin, GM   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2018/08/20 electronic energy loss  thermal spike  vacancy and interstitial  defect production and annealing  damage efficiency  recombination cross section   Damage production in silicon irradiated with 112 MeV Ar ions 会议论文  OAI收割 作者:  Liu, CL;  Hou, MD;  Zhu, ZY;  Wang, ZG;  Cheng, S   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2018/08/20 irradiation  amorphous region  divacancy  silicon   Damage production in silicon irradiated with 112 MeV Ar ions 会议论文  OAI收割 作者:  Liu, CL;  Hou, MD;  Zhu, ZY;  Wang, ZG;  Cheng, S   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2018/08/20 irradiation  amorphous region  divacancy  silicon   Dynamics of formation of defects in annealed InP 会议论文  OAI收割 conference on integrated optoelectronics ii, beijing, peoples r china, sep 18-19, 1998 Han YJ; Liu XL; Jiao JH; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/10/29 defects formation  hydrogen related defects  semi-insulating  InP   Structural and optical changes in GaAs/InAs/GaAs structure induced by thermal annealing 会议论文  OAI收割 5th international conference on solid-state and integrated circuit technology, beijing, peoples r china, oct 21-23, 1998 Mo QW; Fan TW; Gong Q; Wu J; Wang ZG; Bai YQ; Zhang W 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/10/29 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  COHERENT ISLANDS  GAAS  GROWTH  DOTS  DISLOCATIONS  TEMPERATURE  MECHANISMS  SI(001)  INGAAS   Boron diffusion in Ge+ premorphized and BF2+ implanted Si(001) 会议论文  OAI收割 14th latin american symposiumm on solid state physics, oaxaca, mexico, jan 11-16, 1998 Zou LF; Acosta-Ortiz SE; Zou LX; Regalado LE; Sun DZ; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2010/11/15 ELECTRICAL-PROPERTIES  ION-IMPLANTATION  REGROWTH  SILICON  LAYERS   Hydrogen related defects in InP 会议论文  OAI收割 symposium on light emitting devices for optoelectronic applications / 28th state-of-the-art program on compound semiconductors at 193th electrochemical-soc meeting, san diego, ca, may 03-08, 1998 Han YJ; Liu XL; Jiao JH; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/10/29 Formation mechanism of defects in annealed InP 会议论文  OAI收割 spie conference on optoelectronic materials and devices, taipei, taiwan, jul 09-11, 1998 Han YJ; Liu XL; Jiao JH; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/10/29 defects formation  hydrogen related defects  semi-insulating  InP