机构

• 半导体研究所 [36]

采集方式

• OAI收割 [36]

内容类型

• 期刊论文 [33]
• 会议论文 [3]

发表日期

• 2003 [36]

学科主题

• 半导体物理 [36]

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浏览/检索结果: 共36条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2003    学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Nano-layer structure of silicon-on-insulator materials 期刊论文  OAI收割 journal of the korean physical society, 2003, 卷号: 42, 期号: 0, 页码: s713-s718 Wang X; Chen M; Chen J; Wang X; Dong YN; Liu XH; He P; Tian LL; Liu ZL 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2010/08/12 SOI  nanostructure  microelectronic materials   A study of the growth and optical properties of AlInGaN alloys 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 10, 页码: 2632-2637 Huang JS; Dong X; Lu XL; Xu ZY; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：265/14  |  提交时间：2010/08/12 AlInGaN  MOCVD  localized exitons  quantum dots  TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE  MULTIPLE-QUANTUM WELLS  LUMINESCENCE  RELAXATION  SILICON  GAN   Photoluminescence of self-assembled InAs/GaAs quantum dots covered by InAlAs and InGaAs combination strain-reducing layer 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2003, 卷号: 20, 期号: 11, 页码: 2061-2063 Fang ZD; Gong Z; Miao ZH; Xu XH; Ni HQ; Niu ZC 收藏  |  浏览/下载：64/0  |  提交时间：2010/08/12 1.3 MU-M  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  TEMPERATURE-DEPENDENCE  LASING CHARACTERISTICS  LASERS  WAVELENGTH  SEPARATION  LINEWIDTH  PROPERTY  GAIN   Electron ground state energy level determination of ZnSe self-organized quantum dots embedded in ZnS 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 9, 页码: 5325-5330 Lu LW; Yang CL; Wang J; Sou IK; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  TRANSIENT SPECTROSCOPY  TEMPERATURE-DEPENDENCE  PHOTOLUMINESCENCE  WELL  EPILAYERS  SURFACE   Magnetic properties and rectifying behaviour of silicon doped with gadolinium 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 1469-1473 Zhou JP; Chen NF; Song SL; Chai CL; Yang SY; Liu ZK; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/08/12 magnetic semiconductor  magnetic p-n junction  ion beam epitaxy  gadolinium silicides  METAL-INSULATOR-TRANSITION  P-N-JUNCTION  INDUCED FERROMAGNETISM  SI/SIER INTERFACE  BEAM EPITAXY  SEMICONDUCTORS  EXCITATION  MAGNETORESISTANCE  ALLOYS   Surface morphology and optical property of 1.3 mu m In0.5Ga0.5As/GaAs self-organized quantum dots grown by MBE 期刊论文  OAI收割 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2003, 卷号: 17, 期号: 1-4, 页码: 114-116 Lan Q; Niu ZC; Zhou DY; Kong YC; Wang XD; Miao ZH; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dots  molecular beam epitaxy  photoluminescence   Role of different cap layers tuning the wavelength of self-assembled InAs/GaAs quantum dots 期刊论文  OAI收割 journal of physics-condensed matter, 2003, 卷号: 15, 期号: 31, 页码: 5383-5388 Gong Z; Fang ZD; Xu XH; Miao ZH; Niu ZC; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：231/7  |  提交时间：2010/08/12 1.35 MU-M  ISLANDS  PHOTOLUMINESCENCE   A method to obtain ground state electroluminescence from 1.3 mu m emitting InAs/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 chinese physics, 2003, 卷号: 12, 期号: 1, 页码: 97-99 Kong YC; Zhou DY; Lan Q; Liu JL; Miao ZH; Feng SL; Niu ZC 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dots  electroluminescence  state filling effect  OPTICAL-PROPERTIES  WAVELENGTH  EMISSION  LASER  GAAS  DEPENDENCE  LAYER   Defects in GaN films grown on Si(111) substrates by metal-organic chemical vapour deposition 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2003, 卷号: 20, 期号: 10, 页码: 1811-1814 Hu GQ; Kong X; Wan L; Wang YQ; Duan XF; Lu Y; Liu XL 收藏  |  浏览/下载：250/3  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HETEROEPITAXIAL GROWTH  HETEROSTRUCTURE  DISLOCATIONS  MICROSCOPY   Study on the reverse characteristics of Ti/6H-SiC Schottky contacts 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 1, 页码: 211-216 Shang YC; Liu ZL; Wang SR 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/08/12 SiC  Schottky contacts  reverse characteristics  tunneling current  ELECTRICAL CHARACTERISTICS  INHOMOGENEITIES  DIODES