机构

• 半导体研究所 [4]
• 近代物理研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 会议论文 [6]

发表日期

• 2006 [6]

学科主题

• 半导体材料 [3]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：2006    内容类型：会议论文     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Temperature annealing of tracks induced by ion irradiation of graphite 会议论文  OAI收割 作者:  Liu, J;  Yao, HJ;  Sun, YM;  Duan, JL;  Hou, MD   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2018/08/20 graphite  heavy ions  scanning tunneling microscopy  Raman spectroscopy   Temperature annealing of tracks induced by ion irradiation of graphite 会议论文  OAI收割 作者:  Liu, J;  Yao, HJ;  Sun, YM;  Duan, JL;  Hou, MD   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2018/08/20 graphite  heavy ions  scanning tunneling microscopy  Raman spectroscopy   Optical properties of inGaAs/GaAs quantum wells grown by Sb-assisted molecular beam epitaxy 会议论文  OAI收割 3rd international conference on materials for advanced technologies/9th international conference on advanced materials, singapore, singapore, jul 03-08, 2005 Jiang, DS; Qu, YH; Ni, HQ; Wu, DH; Xu, YQ; Niu, ZC 收藏  |  浏览/下载：110/24  |  提交时间：2010/03/29 molecular beam epitaxy   The study of high temperature annealing of a-SiC : H films 会议论文  OAI收割 3rd international materials symposium/12th meeting of the sociedad-portuguesa-da-materials (materials 2005/spm), aveiro, portugal, mar 20-23, 2005 Zhang, S; Hu, Z; Raniero, L; Liao, X; Ferreira, I; Fortunato, E; Vilarinho, P; Perreira, L; Martins, R 收藏  |  浏览/下载：209/71  |  提交时间：2010/03/29 silicon carbide  high temperature annealing  thin film  SILICON  PECVD   Optical and structural properties of ZnO films grown on Si(100) substrates by MOCVD - art. no. 60290G 会议论文  OAI收割 20th congress of the international-commission-for-optics, changchun, peoples r china, aug 21-26, 2005 Shen, WJ; Duan, Y; Wang, J; Wang, QY; Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：95/18  |  提交时间：2010/03/29 ZnO  MOCVD  thermal annealing  photoluminescence  x-ray diffraction  atomic force microscopy  PULSED-LASER DEPOSITION  THIN-FILMS  PHOTOLUMINESCENCE  MECHANISMS  EPITAXY  CVD  SI   Electron irradiation-induced defects in InP pre-annealed at high temperature 会议论文  OAI收割 11th conference on defects recognition imaging and physics in semiconductors, beijing, peoples r china, sep 13-19, 2005 Zhao, YW (Zhao, Y. W.); Dong, ZY (Dong, Z. Y.); Deng, AH (Deng, A. H.) 收藏  |  浏览/下载：158/28  |  提交时间：2010/03/29 indium phosphide