机构

• 半导体研究所 [7]
• 物理研究所 [1]
• 宁波材料技术与工程研... [1]
• 化学研究所 [1]
• 高能物理研究所 [1]
• 合肥物质科学研究院 [1]
• 更多

采集方式

• OAI收割 [9]
• iSwitch采集 [3]

内容类型

• 期刊论文 [11]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2009 [12]

学科主题

• 半导体材料 [3]
• Physics [1]
• 半导体物理 [1]
• 纳米科技与材料物理:... [1]

筛选

浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2009     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Energy band alignment of sio2/zno interface determined by x-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文  iSwitch采集 Journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 4, 页码: 5 作者:  You, J. B.;  Zhang, X. W.;  Song, H. P.;  Ying, J.;  Guo, Y. 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/12 Conformation-Induced Electrostatic Gating of the Conduction of Spiropyran-Coated Organic Thin-Film Transistors 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, 2009, 卷号: 113, 期号: 24, 页码: 10807-10812 作者:  Shen, Qian;  Cao, Yang;  Liu, Song;  Steigerwald, Michael L.;  Guo, Xuefeng   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/04/09 Measurement of polar c-plane and nonpolar a-plane inn/zno heterojunctions band offsets by x-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 16, 页码: 3 作者:  Yang, A. L.;  Song, H. P.;  Wei, H. Y.;  Liu, X. L.;  Wang, J. 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Conduction bands  Iii-v semiconductors  Ii-vi semiconductors  Indium compounds  Interface states  Polarisation  Semiconductor heterojunctions  Valence bands  Wide band gap semiconductors  X-ray photoelectron spectra  Zinc compounds   Determination of mgo/aln heterojunction band offsets by x-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 5, 页码: 3 作者:  Yang, A. L.;  Song, H. P.;  Liu, X. L.;  Wei, H. Y.;  Guo, Y. 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Aluminium compounds  Conduction bands  Energy gap  High electron mobility transistors  Iii-v semiconductors  Magnesium compounds  Passivation  Semiconductor heterojunctions  Valence bands  Wide band gap semiconductors  X-ray photoelectron spectra   Superconductivity in the hole-doped oxy-arsenide RE1-xSrxFeAsO (RE = La, Pr) 期刊论文  OAI收割 PHYSICA C-SUPERCONDUCTIVITY AND ITS APPLICATIONS, 2009, 卷号: 469, 期号: 15-20, 页码: 894 Wen, HH; Mu, G; Zhu, XY; Cheng, P; Fang, L; Han, F; Zeng, B; Shen, B 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/09/24 LAYERED SUPERCONDUCTOR  SPIN  LAO0.9F0.1-DELTA-FEAS  GAPS   Determination of wurtzite InN/cubic In2O3 heterojunction band offset by x-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2009, 卷号: 94, 期号: 22, 页码: 222114 作者:  Song, HP;  Yang, AL;  Wei, HY;  Guo, Y;  Zhang, B 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2016/06/29 conduction bands  III-V semiconductors  indium compounds  semiconductor heterojunctions  semiconductor materials  valence bands  X-ray photoelectron spectra   Thermoelectric properties of hot-pressed Zn4Sb3−xTex 期刊论文  OAI收割 Journal of Alloys and Compounds, 2009, 期号: 486, 页码: 335–337 Li W; Zhou LM; Li YL; Jiang J; Xu GJ 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/01/05 β-Zn4Sb3  Thermoelectric properties  Hot-pressing method   In-Situ Boron and Aluminum Doping and Their Memory Effects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers Grown by Hot-Wall LPCVD 会议论文  OAI收割 international conference on silicon carbide and related materials, otsu, japan, oct 14-19, 2007 Sun, GS; Zhao, YM; Wang, L; Wang, L; Zhao, WS; Liu, XF; Ji, G; Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/03/09 in-situ doping  boron  aluminum  memory effects  hot-wall LPCVD  4H-SiC   Determination of MgO/AlN heterojunction band offsets by x-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 5, 页码: art. no. 052101 作者:  Wei HY;  Jiao CM;  Song HP 收藏  |  浏览/下载：235/41  |  提交时间：2010/03/08 aluminium compounds  conduction bands  energy gap  high electron mobility transistors  III-V semiconductors  magnesium compounds  passivation  semiconductor heterojunctions  valence bands  wide band gap semiconductors  X-ray photoelectron spectra   Measurement of polar C-plane and nonpolar A-plane InN/ZnO heterojunctions band offsets by x-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 16, 页码: art. no. 163301 作者:  Jin P;  Wei HY;  Song HP 收藏  |  浏览/下载：310/47  |  提交时间：2010/03/08 conduction bands  III-V semiconductors  II-VI semiconductors  indium compounds  interface states  polarisation  semiconductor heterojunctions  valence bands  wide band gap semiconductors  X-ray photoelectron spectra  zinc compounds