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采集方式

• OAI收割 [25]

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• 期刊论文 [21]
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发表日期

• 2014 [25]

学科主题

• Physics [2]
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浏览/检索结果: 共25条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2014     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Effects of Pr3+-deficiency on structure and properties of PrBaCo2O5+delta cathode material-A comparison with Ba2+-deficiency case 期刊论文  OAI收割 journal of power sources, 2014, 卷号: 272, 页码: 371-377 作者:  Jiang, Xuening;  Shi, Yuchao;  Zhou, Wenlong;  Li, Xiangnan;  Su, Zhixian 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2015/11/17 Layered perovskite oxide  Pr3+-deficiency  Chemical defects  Electrical conductivity  Electrochemical performance   核/壳结构量子点的可控合成和发光性质及LED制备研究 学位论文  OAI收割 博士: 中国科学院大学, 2014 徐威 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2014/08/21 Swift heavy ions induced irradiation effects in monolayer graphene and highly oriented pyrolytic graphite 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2014, 卷号: 330, 页码: 18-23 作者:  Zeng, J.;  Yao, H. J.;  Zhang, S. X.;  Zhai, P. F.;  Duan, J. L.   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2018/07/05 Graphene  Hopg  Swift Heavy Ions  Irradiation Effect   纳米结构MgO粉体的制备与性能研究 学位论文  OAI收割 博士: 中国科学院研究生院, 2014 崔洪梅 收藏  |  浏览/下载：112/0  |  提交时间：2015/06/04 氧化镁  掺杂  缺陷  抗菌性能  复合抗菌材料   Application-oriented nitride substrates for epitaxial growth of electronic and optoelectronic device structures 专利  OAI收割 专利号: US8699537, 申请日期: 2014-04-15, 公开日期: 2014-04-15 作者:  SHARMA, TARUN KUMAR;  TOWE, ELIAS   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/26 Epitaxial growth of large-area bilayer graphene on Ru(0001) 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 卷号: 104, 期号: 9 作者:  Que, Yande;  Xiao, Wende;  Fei, Xiangmin;  Chen, Hui;  Huang, Li   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/04/09 Structure and deuterium retention properties of tungsten layers deposited by plasma sputtering in a mixed atmosphere of D-2 and He 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF NUCLEAR MATERIALS, 2014, 卷号: 446, 页码: 200-207 作者:  Tang, X. H.;  Shi, L. Q.;  O'Connor, D. J.;  King, B.   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2018/07/05 Nitride semiconductor structure 专利  OAI收割 专利号: US8652918, 申请日期: 2014-02-18, 公开日期: 2014-02-18 作者:  STRITTMATTER, ANDRE   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/24 Evolution of defects in silicon carbide implanted with helium ions 期刊论文  OAI收割 Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 2014, 卷号: 326, 期号: 326, 页码: 345–350 作者:     |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2014/12/16 Silicon carbide  Helium  Implantation  Defect  Radiation damage   Atomic-Scale Insights into the Oxygen Ionic Transport Mechanisms of Oxygen Electrode in Solid Oxide Cells: A Review 期刊论文  OAI收割 PROGRESS IN CHEMISTRY, 2014, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: 1570-1585 Liu Shaoming; Yu Bo; Zhang Wenqiang; Zhu Jianxin; Zhai Yuchun; Chen Jing 收藏  |  浏览/下载：103/0  |  提交时间：2015/03/24 solid oxide fuel cell(SOFC)  solid oxide electrolysis cell(SOEC)  intermediate-low temperature  oxygen electrode  density functional theory (DFT)  molecular dynamics (MD)