机构

• 半导体研究所 [11]

采集方式

• OAI收割 [11]

内容类型

• 期刊论文 [9]
• 会议论文 [2]

发表日期

• 2004 [1]
• 2003 [1]
• 2002 [2]
• 1999 [1]
• 1998 [1]
• 1996 [2]
• 更多

学科主题

• 半导体材料 [11]

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浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 High-performance quantum-dot superluminescent diodes 期刊论文  OAI收割 ieee photonics technology letters, 2004, 卷号: 16, 期号: 1, 页码: 27-29 作者:  Xu B;  Jin P 收藏  |  浏览/下载：68/29  |  提交时间：2010/03/09 crystal growth   Effects and numerical analysis of argon gas flow on the oxygen concentration in Czochralski silicon single crystal growth 会议论文  OAI收割 iumrs/icem 2002 conference, xian, peoples r china, jun 10-14, 2002 Zhang ZC; Ren BY; Chen YH; Yang SY; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/11/15 Czochralski method  growth from melt  semiconductor silicon  argon gas flow  computer simulation  oxygen content  FURNACE PRESSURE   Space-grown SI-GaAs and its application 会议论文  OAI收割 12th international semicoducting and insulating materials conference (simc-xii2002), smolenice, slovakia, jun 30-jul 05, 2002 Chen NF; Zhong XG; Zhang M; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/10/29 SEMIINSULATING GALLIUM-ARSENIDE  FLOATING-ZONE GROWTH  CRYSTAL-GROWTH  ZERO GRAVITY  MICROGRAVITY  SEGREGATION  STOICHIOMETRY  SILICON  DEFECTS  INSB   Improved purity of long-wavelength InAsSb epilayers grown by melt epitaxy in fused silica boats 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 1, 页码: 85-90 Gao YZ; Kan H; Gao FS; Gong XY; Yamaguchi T 收藏  |  浏览/下载：85/4  |  提交时间：2010/08/12 purification  X-ray diffraction  melt epitaxy  narrow gap materials  semiconducting III-V materials  CUTOFF WAVELENGTH  SINGLE-CRYSTALS  MU-M  INFRARED PHOTODETECTORS  GAAS   Study on the oxygen concentration reduction in heavily Sb-doped silicon 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 196, 期号: 1, 页码: 111-114 Liu CC; Wang HM; Li YX; Wang QL; Ren BY; Xu YS; Que DL 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/08/12 heavily Sb-doped silicon  oxygen concentration  thermodynamic calculation  oxygen solubility  lattice strain   Gallium diffusion through cubic GaN films grown on GaAs(100) at high-temperature using low-pressure MOVPE 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 191, 期号: 4, 页码: 646-650 Xu DP; Yang H; Zheng LX; Wang XJ; Duan LH; Wu RH 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAAS  NITRIDATION   Liquid encapsulated-melt zone processing of GaAs 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 1996, 卷号: 13, 期号: 12, 页码: 950-952 Zhou BJ; Chen WH; Jensen E; Amini A; Abbaschian R 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/17 Electrical properties of semi-insulating GaAs grown from the melt under microgravity conditions 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 1996, 卷号: 13, 期号: 7, 页码: 553-556 Wang ZG; Lin LY; Li CJ; Zhong XR; Li YY; Wan SK; Sun H 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/17 Analysis of Dopant distributions in LEC-InP 期刊论文  OAI收割 crystal research and technology, 1995, 卷号: 30, 期号: 8, 页码: 1169-1178 Wei J 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/17 DIFFUSION  GROWTH  ZN   DEEP CENTER SCATTERING POTENTIAL IN INGAP 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 1994, 卷号: 76, 期号: 11, 页码: 7410-7414 ZHU QS; HIRAMATSU K; SAWAKI N; AKASAKI I; LIU XN 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/15 SEMICONDUCTORS  DEFECTS  VACANCY  SILICON  LEVEL  LPE