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- 专利  OAI收割
专利号: JP1993008857B2, 申请日期: 1993-02-03, 公开日期: 1993-02-03
作者:  FUJII SADAO;  UMENO MASAYOSHI
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Semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: JP1990100390A, 申请日期: 1990-04-12, 公开日期: 1990-04-12
作者:  YAMAWAKI TAKESHI
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Semiconductor laser having semi-insulating buried layer and manufacture thereof 专利  OAI收割
专利号: JP1989010688A, 申请日期: 1989-01-13, 公开日期: 1989-01-13
作者:  TAKAHASHI MITSUO
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Semiconductor laser element and its manufacture 专利  OAI收割
专利号: JP1988126290A, 申请日期: 1988-05-30, 公开日期: 1988-05-30
作者:  USHIKUBO TAKASHI;  FURUKAWA RYOZO;  KOBAYASHI NOBUO
  |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/18
Manufacture of optical integrated circuit 专利  OAI收割
专利号: JP1988028093A, 申请日期: 1988-02-05, 公开日期: 1988-02-05
作者:  ISHINO MASATO;  SASAI YOICHI;  KUBO MINORU
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Semiconductor laser element and manufacture thereof 专利  OAI收割
专利号: JP1987158384A, 申请日期: 1987-07-14, 公开日期: 1987-07-14
作者:  SHINOZAKI KEISUKE;  KAWAHARA MASATO;  WATANABE AKIRA;  FURUKAWA RYOZO
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- 专利  OAI收割
专利号: JP1987002453B2, 申请日期: 1987-01-20, 公开日期: 1987-01-20
作者:  OOSAWA YOICHI
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Manufacture of semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1986281574A, 申请日期: 1986-12-11, 公开日期: 1986-12-11
作者:  WATANABE AKIRA;  YAMADA TOMOYUKI;  IMANAKA KOICHI;  KAWAI YOSHIO
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Liquid-phase growth apparatus and liquid-phase growth measure using same 专利  OAI收割
专利号: JP1986220422A, 申请日期: 1986-09-30, 公开日期: 1986-09-30
作者:  OGURA MOTOTSUGU
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Semiconductor laser diode 专利  OAI收割
专利号: JP1986168984A, 申请日期: 1986-07-30, 公开日期: 1986-07-30
作者:  OSAWA YOICHI
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