机构

• 半导体研究所 [6]
• 金属研究所 [3]

采集方式

• OAI收割 [7]
• iSwitch采集 [2]

内容类型

• 期刊论文 [9]

发表日期

• 2000 [9]

学科主题

• 半导体材料 [3]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 发表日期：2000     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Influence of phosphine flow rate on si growth rate in gas source molecular beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 461-465 作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Kong, MY 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Si growth rate  P doping  Ph3 flow rate  P segregation  Gsmbe   Influence of phosphine flow rate on Si growth rate in gas source molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 461-465 作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Kong, MY   |  收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2021/02/02 Si growth rate  P doping  PH3 flow rate  P segregation  GSMBE   Influence of phosphine flow rate on Si growth rate in gas source molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 461-465 作者:  Gao, F   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2021/02/02 Si growth rate  P doping  PH3 flow rate  P segregation  GSMBE   1.5 mu m luminescence characteristic of erbium in B, P doped a-SiO : H films 期刊论文  OAI收割 chinese physics, 2000, 卷号: 9, 期号: 10, 页码: 783-786 Liang JJ; Chen WD; Wang YQ; Chang Y; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/08/12 erbium  photoluminescence  a-SiO : H  boron and phosphorus co-doping  CRYSTALLINE SI  SILICON  ELECTROLUMINESCENCE  ER   Influence of phosphine flow rate on Si growth rate in gas source molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 461-465 Gao F; Huang DD; Li JP; Lin YX; Kong MY; Sun DZ; Li JM; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/08/12 Si growth rate  P doping  PH3 flow rate  P segregation  GSMBE  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  SI1-XGEX  PHOSPHORUS  SI2H6  DISILANE  SI(100)  MBE   Doping during low-temperature growth of materials for n-p-n Si/SiGe/Si heterojuction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 208, 期号: 1-4, 页码: 322-326 Liu JP; Huang DD; Li JP; Lin YX; Sun DZ; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：70/14  |  提交时间：2010/08/12 n-type doping  p-type doping  Si/SiGe  HBT  GSMBE  SI   Doping during low-temperature growth of materials for n-p-n si/sige/si heterojuction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 208, 期号: 1-4, 页码: 322-326 作者:  Liu, JP;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Sun, DZ 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/05/12 N-type doping  P-type doping  Si/sige  Hbt  Gsmbe   The growth of Si/SiGe/Si structures for heterojunction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 457-460 Gao F; Huang DD; Li JP; Lin YX; Kong MY; Li JM; Zeng YP; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：89/0  |  提交时间：2010/08/12 GSMBE  SiGe alloy  doping  SIMS  HBT  current gain  SI   Doping during low-temperature growth of materials for n-p-n Si/SiGe/Si heterojuction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2000, 卷号: 208, 期号: 1-4, 页码: 322-326 作者:  Liu, JP;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Sun, DZ   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2021/02/02 n-type doping  p-type doping  Si/SiGe  HBT  GSMBE