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半导体研究所 [4]
采集方式
OAI收割 [4]
内容类型
会议论文 [2]
期刊论文 [2]
发表日期
2012 [1]
2006 [1]
2005 [1]
2004 [1]
学科主题
半导体材料 [4]
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浏览/检索结果:
共4条,第1-4条
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限定条件
学科主题:半导体材料
条数/页:
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Residual strains and optical properties of ZnO thin epilayers grown on r-sapphire planes
期刊论文
OAI收割
semiconductor science and technology, 2012, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 35008
Zheng, CC
;
Xu, SJ
;
Ning, JQ
;
Bao, W
;
Wang, JF
;
Gao, J
;
Liu, JM
;
Zhu, JH
;
Liu, XL
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2013/03/17
Homoepitaxial growth and characterization of 4H-SiC epilayers by low-pressure hot-wall chemical vapor deposition
会议论文
OAI收割
international conference on silicon carbide and related materials (icscrm 2005), pittsburgh, pa, sep 18-23, 2005
Sun, GS (Sun, Guosheng)
;
Ning, J (Ning, Jin)
;
Gong, QC (Gong, Quancheng)
;
Gao, X (Gao, Xin)
;
Wang, L (Wang, Lei)
;
Liu, XF (Liu, Xingfang)
;
Zeng, YP (Zeng, Yiping)
;
Li, JM (Li, Jinmin)
收藏
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浏览/下载:100/29
  |  
提交时间:2010/03/29
homoepitaxial growth
low-pressure hot-wall CVD
structural and optical characteristics
intentional doping
Schottky barrier diodes
Homoepitaxial Growth of 4H-SiC and Ti/4H-SiC SBDs
期刊论文
OAI收割
人工晶体学报, 2005, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 1006-1010
作者:
NING Jin
;
LIU Xingfang
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提交时间:2010/11/23
Homoepitaxial growth and MOS structures of 4H-SiC on off oriented n-type (0001)Si-faces
会议论文
OAI收割
7th international conference on solid-state and integrated circuits technology, beijing, peoples r china, oct 18-21, 2004
Sun, GS
;
Ning, J
;
Zhang, YX
;
Gao, X
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Zeng, YP
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:206/60
  |  
提交时间:2010/03/29
4H-SiC
LPCVD homoepitaxial growth
thermal oxidization
MOS structures
HOT-WALL CVD