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  • OAI收割 [76]
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  • 2010 [76]
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Anisotropic characteristics of a-plane GaN films grown on gamma-LiAlO2 (302) substrates by MOCVD 期刊论文  OAI收割
Applied Surface Science, 2010, 卷号: 257, 期号: 4, 页码: 1181-1184
作者:  Qiu YX (邱永鑫);  Huang J (黄俊);  Xu K (徐科)
收藏  |  浏览/下载：185/63  |  提交时间：2011/03/13
异质掩埋激光器的制作方法 专利  OAI收割
专利号: CN101888060A, 申请日期: 2010-11-17, 公开日期: 2010-11-17
作者:  王宝军;  朱洪亮;  赵玲娟;  王圩;  潘教青
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Room-Temperature Continuous-Wave Operation of InGaN-Based Blue-Violet Laser Diodes with a Lifetime of 15.6 Hours 期刊论文  OAI收割
Chinese Physics Letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 11
作者:  Wang HB (王怀兵);  Yang H (杨辉);  Zhang SM (张书明);  Ji L
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2011/03/13
一种GaAs基半导体激光器的腔面钝化方法 专利  OAI收割
专利号: CN101820134A, 申请日期: 2010-09-01, 公开日期: 2010-09-01
作者:  胡理科;  熊聪;  祁琼;  王冠;  马骁宇
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折射面入光探测器的制作方法 专利  OAI收割
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-23, 2010-08-12, 2010-10-15
廖栽宜; 张云霄; 周 帆; 赵玲娟; 王 圩
收藏  |  浏览/下载：77/0  |  提交时间：2010/08/12
平面型GaN基紫外探测器的制备与性能研究 学位论文  OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2010
作者:  包西昌
  |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/09/11
硅衬底GaN基半导体材料的制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN101719465A, 申请日期: 2010-06-02, 公开日期: 2010-06-02
作者:  江风益;  方文卿;  郑畅达;  莫春兰;  王立
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自催化InP纳米线的MOCVD生长与表征研究 学位论文  OAI收割
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
于淑珍
收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2013/03/01
GaSb量子点的MOCVD生长和光电特性的研究 学位论文  OAI收割
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
竹敏
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2013/02/28
ZnO films growth at different temperature on the substrate of Corning glass by MOCVD (EI CONFERENCE) 会议论文  OAI收割
2009 International Symposium on Liquid Crystal Science and Technology, August 2, 2009 - August 5, 2009, Kunming, China
作者:  Zhao J.;  Gao X.
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2013/03/25