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• 物理研究所 [5]

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内容类型

• 期刊论文 [5]

发表日期

• 2010 [5]

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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2010    专题：物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Recent progress in single chip white light-emitting diodes with the ingan underlying layer 期刊论文  iSwitch采集 Science china-physics mechanics & astronomy, 2010, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 445-448 作者:  Wang XiaoLi;  Wang XiaoHui;  Jia HaiQiang;  Xing ZhiGang;  Chen Hong 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/09 Gan  Ingan  White light led  Mocvd   Characterization of different-Al-content AlGaN/GaN heterostructures on sapphire 期刊论文  OAI收割 SCIENCE CHINA-PHYSICS MECHANICS & ASTRONOMY, 2010, 卷号: 53, 期号: 1, 页码: 49 Ding, GJ; Guo, LW; Xing, ZG; Chen, Y; Xu, PQ; Jia, HQ; Zhou, JM; Chen, H 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2013/09/17 FIELD-EFFECT TRANSISTORS  ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  OPTICAL-PROPERTIES  INDUCED CHARGE  POLARIZATION  GAN  EPITAXY   Threading dislocation density comparison between GaN grown on the patterned and conventional sapphire substrate by high resolution X-ray diffraction 期刊论文  OAI收割 SCIENCE CHINA-PHYSICS MECHANICS & ASTRONOMY, 2010, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 465 Zhang, YC; Xing, ZG; Ma, ZG; Chen, Y; Ding, GJ; Xu, PQ; Dong, CM; Chen, H; Le, XY 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2013/09/23 LIGHT-EMITTING-DIODES  PHONON DEFORMATION POTENTIALS  FILMS  EPITAXY  ALN   Wing tilt investigations on GaN epilayer grown on maskless grooved sapphire by MOCVD 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE, 2010, 卷号: 45, 期号: 6, 页码: 1503 Yu, NS; Zhu, XL; Peng, MZ; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2013/09/23 VAPOR-PHASE EPITAXY  LATERAL OVERGROWTH  THIN-FILMS  ALPHA-GAN  MICROSCOPY   Broadening of the energy spectrum of ions accelerated by laser-driven shocks in over-dense slab plasmas 期刊论文  OAI收割 SIXTH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INERTIAL FUSION SCIENCES AND APPLICATIONS, PARTS 1-4, 2010, 卷号: 244 Dong, QL; He, MQ; Sheng, ZM; Chen, M; Wang, SJ; Zhang, J 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2013/09/17