机构

• 半导体研究所 [8]

采集方式

• OAI收割 [6]
• iSwitch采集 [2]

内容类型

• 期刊论文 [8]

发表日期

• 2010 [1]
• 2009 [1]
• 2007 [2]
• 2005 [2]
• 2002 [2]

学科主题

• 半导体材料 [3]
• 半导体物理 [2]
• 微电子学 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Intersubband absorption energy shifts in 3-level system for asymmetric quantum well terahertz emitters 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 8, 页码: art. no. 083112 Song YF (Song Yafeng); Lu YW (Lu Yanwu); Zhang BA (Zhang Biao); Xu XQ (Xu Xiaoqing); Wang J (Wang Jun); Guo Y (Guo Yan); Shi K (Shi Kai); Li ZW (Li Zhiwei); Liu XL (Liu Xianglin); Yang SY (Yang Shaoyan); Zhu QS (Zhu Qinsheng); Wang ZG (Wang Zhanguo) 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/12/05 OPTICAL PHONON ENERGY  INVERSION-LAYERS  TRANSITIONS  RELAXATION  LASERS  STATES   Raman scattering study on Ga1-xMnxAs prepared by Mn ions implantation, deposition and post-annealing 期刊论文  OAI收割 crystal research and technology, 2009, 卷号: 44, 期号: 2, 页码: 215-220 Islam MR; Chen NF; Yamada M 收藏  |  浏览/下载：224/44  |  提交时间：2010/03/08 Raman scattering  ferromagnetic  semiconductor  GaMnAs  Mn ions implantation  deposition   Two opposite gradients of hole density in as-grown and annealed (ga,mn)as layers 期刊论文  iSwitch采集 Journal of magnetism and magnetic materials, 2007, 卷号: 308, 期号: 2, 页码: 313-317 作者:  Deng, J. J.;  Zhao, J. H.;  Tan, P. H.;  Bi, J. F.;  Gan, H. D. 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/12 Magnetic semiconductors  Electrical and magnetic properties (related to treatment conditions)  Raman spectra  Molecular-beam epitaxy   Effect of implantation of nitrogen into SIMOX buried oxide on its fixed positive charge density 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 9, 页码: 5446-5451 Zheng, ZS (Zheng Zhong-Shan); Zhang, EX (Zhang En-Xia); Liu, ZL (Liu Zhong-Li); Zhang, ZX (Zhang Zheng-Xuan); Li, N (Li Ning); Li, GH (Li Guo-Hua) 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/03/29 SIMOX   Phase-separation suppression in gan-rich side of ganp alloys grown by metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics a-materials science & processing, 2005, 卷号: 80, 期号: 1, 页码: 141-144 作者:  Chen, DJ;  Shen, B;  Bi, ZX;  Zhang, KX;  Gu, SL 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 Phase-separation suppression in GaN-rich side of GaNP alloys grown by metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 applied physics a-materials science & processing, 2005, 卷号: 80, 期号: 1, 页码: 141-144 Chen DJ; Shen B; Bi ZX; Zhang KX; Gu SL; Zhang R; Shi, Y; Zheng YD; Sun XH; Wan SK; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：118/41  |  提交时间：2010/03/09 MOLECULAR-BEAM EPITAXY   Raman study of low-temperature-grown Al0.29Ga0.71As/GaAs photorefractive materials 期刊论文  OAI收割 physical review b, 2002, 卷号: 65, 期号: 12, 页码: art.no.125325 作者:  Tan PH 收藏  |  浏览/下载：76/4  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ALXGA1-XAS ALLOYS  GAAS  PHOTOLUMINESCENCE   Mechanisms of the sidewall facet evolution in lateral epitaxial overgrowth of GaN by MOCVD 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2002, 卷号: 35, 期号: 21, 页码: 2731-2734 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/08/12 VAPOR-PHASE EPITAXY  DEPOSITION  LAYERS  FILMS