机构

• 半导体研究所 [7]

采集方式

• OAI收割 [4]
• iSwitch采集 [3]

内容类型

• 期刊论文 [4]
• 会议论文 [3]

发表日期

• 2019 [1]
• 2008 [1]
• 2007 [4]
• 2006 [1]

学科主题

• 半导体材料 [3]

筛选

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Improving the performance of optical antenna for optical phased arrays through high- contrast grating structure on SOI substrate 期刊论文  OAI收割 Optics Express, 2019, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 2703-2712 作者:  P. F. WANG ;   G. Z. LUO ;   H. Y. YU ;   Y. J. LI ;   M. Q. WANG ;   X. L. ZHOU ;   W. X. CHEN;   Y. J. ZHANG ;   , J. Q. PAN   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/07/31 High-performance 2 mm gate width ganhemts on 6h-sic with output power of 22.4 w @ 8 ghz 期刊论文  iSwitch采集 Solid-state electronics, 2008, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 926-929 作者:  Wang, X. L.;  Chen, T. S.;  Xiao, H. L.;  Wang, C. M.;  Hu, G. X. 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 Algan/aln/gan  Hemts  Sic  Power   1-mm gate periphery algan/ain/gan hemts on sic with output power of 9.39 w at 8 ghz 期刊论文  iSwitch采集 Solid-state electronics, 2007, 卷号: 51, 期号: 3, 页码: 428-432 作者:  Wang, X. L.;  Cheng, T. S.;  Ma, Z. Y.;  Hu, Gx;  Xiao, H. L. 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Algan/gan  Hemt  Mocvd  Power device  Sic substrates   Vertical PIN ultraviolet photodetectors based on 4H-SiC homoepilayers 会议论文  OAI收割 33rd international symposium on compound semiconductors, vancouver, canada, aug 13-17, 2006 Liu, XF (Liu, X. F.); Sun, GS (Sun, G. S.); Li, JM (Li, J. M.); Ning, J (Ning, J.); Zhao, YM (Zhao, Y. M.); Luo, MC (Luo, M. C.); Wang, L (Wang, L.); Zhao, WS (Zhao, W. S.); Zeng, YP (Zeng, Y. P.) 收藏  |  浏览/下载：89/9  |  提交时间：2010/03/29 AVALANCHE PHOTODIODES  AREA   Homoepitaxial growth of 4H-SiC multi-epilayers and its application to UV detection 会议论文  OAI收割 6th european conference on silicon carbide and related materials, newcastle upon tyne, england, sep, 2006 Liu, XF (Liu, X. F.); Sun, GS (Sun, G. S.); Zhao, YM (Zhao, Y. M.); Ning, J (Ning, J.); Li, JY (Li, J. Y.); Wang, L (Wang, L.); Zhao, WS (Zhao, W. S.); Luo, MC (Luo, M. C.); Li, JM (Li, J. M.) 收藏  |  浏览/下载：103/26  |  提交时间：2010/03/29 homoepitaxy  4H-SiC  multi-epilayer  UV detection  p(+)-pi-n(-)  ULTRAVIOLET PHOTODETECTOR  EPITAXIAL-GROWTH   Micro-raman investigation of defects in a 4H-SiC homoepilayer 会议论文  OAI收割 6th european conference on silicon carbide and related materials, newcastle upon tyne, england, sep, 2006 Liu, XF (Liu, X. F.); Sun, GS (Sun, G. S.); Li, JM (Li, J. M.); Zhao, YM (Zhao, Y. M.); Li, JY (Li, J. Y.); Wang, L (Wang, L.); Zhao, WS (Zhao, W. S.); Luo, MC (Luo, M. C.); Zeng, YP (Zeng, Y. P.) 收藏  |  浏览/下载：162/28  |  提交时间：2010/03/29 micro-raman  4H-SiC  defects  3C-inclusions  triangle-shaped inclusion  EPITAXIAL LAYERS  SILICON-CARBIDE   Visible blind p(+)-pi-n(-)-n(+) ultraviolet photodetectors based on 4h-sic homoepilayers 期刊论文  iSwitch采集 Microelectronics journal, 2006, 卷号: 37, 期号: 11, 页码: 1396-1398 作者:  Liu, X. F.;  Sun, G. S.;  Li, J. M.;  Ning, J.;  Luo, M. C. 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 4h-sic  P(+)-pi-n(-)-n(+)  Photodector  Visible blind