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采集方式

• OAI收割 [64]
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内容类型

• 期刊论文 [41]
• 专利 [22]
• 学位论文 [2]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2002 [66]

学科主题

• 半导体物理 [7]
• Physics [4]
• 光电子学 [2]
• 半导体材料 [2]
• Materials ... [1]

筛选

浏览/检索结果: 共66条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2002     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Semiconductor lasers with improved coupling efficiency 专利  OAI收割 专利号: US20020191657A1, 申请日期: 2002-12-19, 公开日期: 2002-12-19 作者:  KAMATH, KISHORE K.   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2020/01/18 A1GaInP-based high-output red semiconductor laser device 专利  OAI收割 专利号: US20020181528A1, 申请日期: 2002-12-05, 公开日期: 2002-12-05 作者:  HIROYAMA, RYOJI;  INOUE, DAIJIRO;  NOMURA, YASUHIKO;  TAKEUCHI, KUNIO   |  收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2020/01/18 Semiconductor laser device including ARROW structure formed without P-As interdiffusion and Al oxidation 专利  OAI收割 专利号: US20020172246A1, 申请日期: 2002-11-21, 公开日期: 2002-11-21 作者:  FUKUNAGA, TOSHIAKI   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/18 Surface emitting semiconductor laser device 专利  OAI收割 专利号: US20020167985A1, 申请日期: 2002-11-14, 公开日期: 2002-11-14 作者:  SHINAGAWA, TATSUYUKI;  YOKOUCHI, NORIYUKI;  SHIINA, YASUKAZU;  KASUKAWA, AKIHIKO   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18 Intracavity contacted long wavelength VCSELs with buried antimony layers 专利  OAI收割 专利号: EP1246328A2, 申请日期: 2002-10-02, 公开日期: 2002-10-02 作者:     |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/31 Multi quantum well grinsch detector 专利  OAI收割 专利号: US6459096, 申请日期: 2002-10-01, 公开日期: 2002-10-01 作者:  RAZEGHI, MANIJEH   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/26 Mode control using transversal bandgap structure in vcsels 专利  OAI收割 专利号: AU2002237203A1, 申请日期: 2002-09-24, 公开日期: 2002-09-24 作者:  BIRKEDAL, DAN;  OSTERGAARD, JOHN ERLAND   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/18 High-power semiconductor laser device having current confinement structure and index-guided structure and oscillating in transverse mode 专利  OAI收割 专利号: US6452954, 申请日期: 2002-09-17, 公开日期: 2002-09-17 作者:  FUKUNAGA, TOSHIAKI   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/24 Vertical cavity surface emitting laser (VCSEL), using buried bragg reflectors and method for producing same 专利  OAI收割 专利号: EP1026798A3, 申请日期: 2002-08-28, 公开日期: 2002-08-28 作者:  CHEN, YONG;  WANG, SHIH-YUAN   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/31 High-power, manufacturable sampled grating distributed bragg reflector lasers 专利  OAI收割 专利号: US20020105991A1, 申请日期: 2002-08-08, 公开日期: 2002-08-08 作者:  COLDREN, LARRY A.;  FISH, GREGORY A.;  LARSON, MICHAEL C.   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/31