机构

• 半导体研究所 [13]

采集方式

• OAI收割 [13]

内容类型

• 期刊论文 [13]

发表日期

• 2009 [4]
• 2008 [3]
• 2003 [1]
• 2000 [2]
• 1999 [2]
• 1998 [1]
• 更多

学科主题

• 半导体化学 [13]

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浏览/检索结果: 共13条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体化学     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Desorption and Ripening of Low Density InAs Quantum Dots 期刊论文  OAI收割 journal of nanoscience and nanotechnology, 2009, 卷号: 9, 期号: 2, 页码: 844-847 作者:  Zhan F 收藏  |  浏览/下载：267/108  |  提交时间：2010/03/08 Quantum Dots  Desorption  Molecular Beam Epitaxy   Long-Wavelength Emission InAs Quantum Dots Grown on InGaAs Metamorphic Buffers 期刊论文  OAI收割 journal of nanoscience and nanotechnology, 2009, 卷号: 9, 期号: 2, 页码: 1333-1336 作者:  Xu YQ 收藏  |  浏览/下载：211/56  |  提交时间：2010/03/08 InAs Quantum Dots  Metamorphic Buffer  Molecular Beam Epitaxy   Well-Aligned Zn-Doped InN Nanorods Grown by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition and the Dopant Distribution 期刊论文  OAI收割 crystal growth & design, 2009, 卷号: 9, 期号: 7, 页码: 3292-3295 作者:  Wei HY;  Song HP 收藏  |  浏览/下载：89/12  |  提交时间：2010/03/08 INDIUM NITRIDE NANOWIRES  GAN   Defect evolution and accompanied change of electrical properties during the GaN growth by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 journal of alloys and compounds, 2009, 卷号: 487, 期号: 1-2, 页码: 400-403 作者:  Zhang SM;  Jiang DS;  Zhu JJ;  Guo X;  Wang YT 收藏  |  浏览/下载：165/33  |  提交时间：2010/03/08 Nitride materials   Promoting strain relaxation of Si0.72Ge0.28 film on Si (100) substrate by inserting a low-temperature Ge islands layer in UHVCVD 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 2008, 卷号: 255, 期号: 5, 页码: 2660-2664 part 2 Zhou ZW; Cai ZM; Li C; Lai HK; Chen SY; Yu JZ 收藏  |  浏览/下载：66/0  |  提交时间：2010/03/08 Relaxed buffer   High Al-content AlInGaN epilayers with different thicknesses grown on GaN/sapphire templates 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 2008, 卷号: 255, 期号: 5, 页码: 3350-3353 part 2 Shang JZ; Zhang BP; Wu CM; Cai LE; Zhang JY; Yu JZ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/03/08 XPS   Growth temperature dependences of InN films grown by MOCVD 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 2008, 卷号: 255, 期号: 5, 页码: 3149-3152 part 2 Yang, CB; Wang, XL; Xiao, HL; Zhang, XB; Hua, GX; Ran, JX; Wang, CM; Li, JP; Li, JM; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：68/1  |  提交时间：2010/03/08 InN  MOCVD  Mobility   In0.25Ga0.75As films growth on the thin GaAs/AlAs buffer layer on the GaAs(001) substrate 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 2003, 卷号: 217, 期号: 1-4, 页码: 268-274 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/08/12 strain  dislocation  interfaces  molecular beam epitaxy  semiconductor III-V materials  CRITICAL THICKNESS  COMPLIANT SUBSTRATE  RELAXATION   Cathodoluminescence on GaN hexagonal pyramids on submicron dot-patterns via selective MOVPE 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 2000, 卷号: 167, 期号: 3-4, 页码: 149-151 Zhu QS; Matsushima H; Hiramatsu K; Sawaki N 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12 CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION  AIN BUFFER LAYER  GROWTH  FACETS  WIRES  MOCVD   Structural and optical characterization of InAs nanostructures grown on (001) and high index InP substrates 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 2000, 卷号: 167, 期号: 3-4, 页码: 191-196 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2010/08/12 self-assembled quantum dots  molecular beam epitaxy  high index  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  VAPOR-PHASE EPITAXY  QUANTUM DOTS  ISLANDS  INP(001)  INGAAS