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• 上海微系统与信息技... [10]

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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：Physics, Multidisciplinary     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 InP-based InGaAs/InAlGaAs digital alloy quantum well laser structure at 2 mu m 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2010, 卷号: 19, 期号: 7, 页码: 77304-77304 Gu, Y; Wang, K; Li, YY; Li, C; Zhang, YG 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2011/11/03 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  PERFORMANCE  GASB  MBE   Electrically Pumped Room-Temperature Pulsed InGaAsP-Si Hybrid Lasers Based on Metal Bonding 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2009, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: 64211-64211 Chen, T; Hong, T; Pan, JQ; Chen, WX; Cheng, YB; Wang, Y; Ma, XB; Liu, WL; Zhao, LJ; Ran, GZ; Wang, W; Qin, GG 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/03/24 CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION  WAVE-GUIDE CIRCUIT  DOUBLE HETEROSTRUCTURES  SILICON SUBSTRATE  CW OPERATION  WAFER  DEVICES  FILMS   Microstructural study of MBE-grown ZnO film on GaN/sapphire (0001) substrate 期刊论文  OAI收割 CENTRAL EUROPEAN JOURNAL OF PHYSICS, 2008, 卷号: 6, 期号: 3, 页码: 638-642 Li, H; Sang, JP; Liu, C; Lu, HB; Cao, JC 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2011/12/02 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ROOM-TEMPERATURE  SAPPHIRE  CRYSTAL  LAYERS  MOCVD  GAN   Strain compensated AlInGaAs/InGaAs/InAs triangular quantum wells for lasing wavelength beyond 2 mu m 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2007, 卷号: 24, 期号: 11, 页码: 3237-3240 Gu, Y; Zhang, YG(张永刚）; Liu, S 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/03/24 MOLECULAR-BEAM-EPITAXY  DIODE-LASERS   Vacuum electron-beam evaporation of Fe nanocrystals on Si3N4 buffer layer for carbon nanotube growth 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2003, 卷号: 20, 期号: 2, 页码: 301-303 Wan, Q; Wang, TH; Lin, CL 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/03/24 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION   Preparation of AlN films by ion-beam-enhanced deposition 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2001, 卷号: 18, 期号: 9, 页码: 1282-1284 Men, CL; Xu, Z; Zheng, ZH; Duo, XZ; Zhang, M; Lin, CL 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2012/03/24 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  NITRIDE FILMS  TEMPERATURE  ALUMINUM   Investigations into electron spin resonance in doped nanocrystalline silicon films 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 2001, 卷号: 50, 期号: 3, 页码: 512-516 Liu, XN; Xu, GY; Sui, YX; He, YL; Bao, XM 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2012/03/24 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MICROCRYSTALLINE SILICON  PHOTOLUMINESCENCE  SIZE   Influence of deep levels on the performance of AlGaInP/GaAs heterojunction bipolar transistor 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 1999, 卷号: 48, 期号: 3, 页码: 556-560 Zhang, XH; Hu, YS; Wu, J; Cheng, ZQ; Xia, GQ; Xu, YS; Chen, ZH; Gui, YS; Chu, JH 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/03/25 CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION  LIGHT-EMITTING-DIODES  SPACE-CHARGE-REGION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  PHASE-EPITAXY  INGAALP ALLOYS  LASER-DIODES  RECOMBINATION  EFFICIENCY  PHOTOLUMINESCENCE   Some considerations on optical confinement and free carrier confinement of quantum cascade lasers 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 1999, 卷号: 16, 期号: 8, 页码: 610-612 Yang, QK; Li, AZ 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/03/25 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  SUPERLATTICE  WELL   C-axis oriented AlN thin films on silicon prepared by ultrahigh vacuum evaporation of Al combined with post-nitridation 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 1998, 卷号: 15, 期号: 10, 页码: 732-733 Huang, JP; Wang, LW; Shen, QW; Gao, JX; Ni, RS; Lin, CL 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/03/25 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  ALUMINUM