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近红外荧光粉、近红外荧光粉制备方法及其应用 专利  OAI收割
专利号: WO2019144933A1, 申请日期: 2019-08-01, 公开日期: 2019-08-01
作者:  张亮亮;  张家骅;  郝振东;  贺帅
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痕量气体同位素富集系统和方法 专利  OAI收割
专利号: CN108479394A, 申请日期: 2018-09-04, 公开日期: 2018-09-04
作者:  孙良亭;  卢征天;  武启;  杨伟顺;  刘建立
  |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2018/12/27
一种医用质子直线加速器 专利  OAI收割
专利号: CN106879158, 申请日期: 2017-01-01, 公开日期: 2017
作者:  王云;  刘华昌
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离子加速器注入装置 专利  OAI收割
专利号: CN203827596U, 申请日期: 2014-09-10, 公开日期: 2014-09-10
作者:  王志军;  何源;  刘鲁北
  |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2018/12/27
离子加速器注入装置及使用方法 专利  OAI收割
专利号: CN103906339A, 申请日期: 2014-07-02, 公开日期: 2014-07-02
作者:  王志军;  何源;  刘鲁北
  |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2018/12/27
一种ECR离子源的蒸发冷却装置 专利  OAI收割
专利号: CN201846521U, 申请日期: 2011-05-25, 公开日期: 2011-05-25
作者:  阮琳;  赵红卫;  宋福川;  张雪珍;  顾国彪
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Semiconductor device in which zinc oxide is used as a semiconductor material and method for manufacturing the semiconductor device 专利  OAI收割
专利号: US7501293, 申请日期: 2009-03-10, 公开日期: 2009-03-10
作者:  ITO, YOSHIHIRO;  KADOTA, MICHIO
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Semiconductor laser manufacturing method 专利  OAI收割
专利号: US7442628, 申请日期: 2008-10-28, 公开日期: 2008-10-28
作者:  YAMANE, KEIJI;  UEDA, TETSUO;  KIDOGUCHI, ISAO;  KAWATA, TOSHIYA
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窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP3963233B2, 申请日期: 2007-06-01, 公开日期: 2007-08-22
作者:  幡 俊雄
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超导高电荷态ECR离子源 专利  OAI收割
专利号: 01212986.0, 申请日期: 2001-12-05, 公开日期: 2001-12-05, 2010-06-24
赵红卫、谢祖棋、袁平、张子民、张雪珍、郭晓虹
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