中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
半导体研究所 [8]
采集方式
OAI收割 [8]
内容类型
期刊论文 [7]
会议论文 [1]
发表日期
2009 [1]
2008 [3]
2006 [2]
2005 [1]
2002 [1]
学科主题
光电子学 [8]
筛选
浏览/检索结果:
共8条,第1-8条
帮助
限定条件
学科主题:光电子学
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
发表日期升序
发表日期降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
Nature of interfacial defects and their roles in strain relaxation at highly lattice mismatched 3C-SiC/Si (001) interface
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 7, 页码: art.no.073522
Wen C
;
Wang YM
;
Wan W
;
L, FH
;
Liang JW
;
Zou J
收藏
  |  
浏览/下载:141/41
  |  
提交时间:2010/03/08
RESOLUTION ELECTRON-MICROSCOPY
The effects of sapphire substrates processes to the LED efficiency - art. no. 68410M
会议论文
OAI收割
conference on solid state lighting and solar energy technologies, beijing, peoples r china, nov 12-14, 2007
Yang, H
;
Chen, Y
;
Wang, LB
;
Yi, XY
;
Fan, JM
;
Liu, ZQ
;
Yang, FH
;
Wang, LC
;
Wang, GH
;
Zeng, YP
;
Li, JM
收藏
  |  
浏览/下载:47/0
  |  
提交时间:2010/03/09
GaN-based LED
grinding
ray tracing
Effects of accumulated strain on the surface and optical properties of stacked 1.3 mu m InAs/GaAs quantum dot structures
期刊论文
OAI收割
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2008, 卷号: 40, 期号: 6, 页码: 2182-2184
作者:
Yang T
收藏
  |  
浏览/下载:75/8
  |  
提交时间:2010/03/08
InAs quantum dots
Distinct two dimensional lateral ordering of self-assembled quantum dots
期刊论文
OAI收割
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2008, 卷号: 40, 期号: 6, 页码: 1952-1954
作者:
Ma WQ
;
Jiang DS
;
Chen LH
收藏
  |  
浏览/下载:50/3
  |  
提交时间:2010/03/08
lateral ordering
Self-organized hexagonal ordering of quantum dot arrays
期刊论文
OAI收割
nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 23, 页码: 5765-5768
Ma WQ (Ma W. Q.)
;
Sun YW (Sun Y. W.)
;
Yang XJ (Yang X. J.)
;
Jiang DS (Jiang D. S.)
;
Chen LH (Chen L. H.)
收藏
  |  
浏览/下载:31/0
  |  
提交时间:2010/04/11
SURFACE
GROWTH
SUPERLATTICES
ISLANDS
Effect of the longitudinal and transverse stacking period of InAs/GaAs quantum dots on the distribution of strain field
期刊论文
OAI收割
acta physica sinica, 2006, 卷号: 55, 期号: 10, 页码: 5023-5029
Liu YM (Liu Yu-Min)
;
Yu ZY (Yu Zhong-Yuan)
;
Yang HB (Yang Hong-Bo)
;
Huang YZ (Huang Yong-Zhen)
收藏
  |  
浏览/下载:38/0
  |  
提交时间:2010/04/11
strain
semiconductor quantum dot
self-organization
ELECTRONIC-STRUCTURE
FINITE-ELEMENT
STATE
Theoretical Analysis of Gain and Threshold Current Density for Long Wavelength GaAs-Based Quantum-Dot Lasers
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 10, 页码: 1898-1904
作者:
Yu Lijuan
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2010/11/23
Etching Behavior of GaN/GaAs(001) Epilayers Grown by MOVPE
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 7, 页码: 707-712
Shen Xiaoming
;
Feng Zhihong
;
Feng Gan
;
Fu Yi
;
Zhang Baoshun
;
Sun Yuanping
;
Zhang Zehong
;
Yang Hui
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2010/11/23