机构

• 金属研究所 [1]
• 上海微系统与信息技术... [1]
• 半导体研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2001 [1]
• 1994 [1]
• 1965 [1]

学科主题

• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Investigation of {111}A and {111} planes of c-GaN epilayers grown on GaAs(001) by MOCVD 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 233, 期号: 1-2, 页码: 52-56 Zheng XH; Qu B; Wang YT; Feng ZH; Han JY; Yang H; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：102/12  |  提交时间：2010/08/12 X-ray diffraction  metalorganic chemical vapor deposition  gallium compounds  HEXAGONAL GAN  CUBIC GAN  GAAS   基于定量原子像图像分析的InSb／GaAs半导体界面原子结构模型 期刊论文  OAI收割 电子显微学报, 1994, 期号: 6, 页码: 461 王绍青，孟祥敏，谢天生，褚一鸣 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/04/12 图像分析:5956  原子像:5675  原子结构模型:3874  体界面:3007  高分辨:1452  晶格参数:1271  GaAs:1121  电子显微镜:1088  InSb:1073  半导:967   某些Ⅲ,Ⅴ族元素在锗、硅中的相互作用 期刊论文  OAI收割 金属学报, 1965, 期号: 02 刘振元 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2012/04/19 相互作用:6511  电阻率:4601  温差电动势:4124  最大值:2722  等温曲线:1768  改变符号:1576  杂质:1416  原子:1339  溶解度:1154  半导体:1121