机构

• 半导体研究所 [47]
• 物理研究所 [17]
• 苏州纳米技术与纳米仿... [8]
• 微电子研究所 [3]
• 金属研究所 [2]
• 上海技术物理研究所 [2]
• 更多

采集方式

• OAI收割 [77]
• iSwitch采集 [12]

内容类型

• 期刊论文 [82]
• 会议论文 [5]
• 专利 [2]

发表日期

• 2021 [1]
• 2020 [2]
• 2019 [2]
• 2018 [2]
• 2017 [1]
• 2016 [7]
• 更多

学科主题

• 半导体材料 [26]
• 半导体物理 [5]
• 光电子学 [3]
• Chemistry;... [1]
• Physics [1]

筛选

浏览/检索结果: 共89条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Enhanced Sensitivity Pt/AlGaN/GaN Heterostructure NO2 Sensor Using a Two-Step Gate Recess Technique 期刊论文  OAI收割 IEEE SENSORS JOURNAL, 2021, 卷号: 21, 期号: 15, 页码: 16475-16483 作者:  Sun, Jianwen;   Zhan, Teng;   Sokolovskij, Robert;   Liu, Zewen;   Sarro, Pasqualina M.;   Zhang, Guoqi   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2022/05/19 Design principle for a p-type oxide gate layer on AlGaN/GaN toward normally-off HEMTs: Li-doped NiO as a model 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2020, 期号: 3, 页码: 1125 作者:  Li, GJ;  Li, XM;  Zhao, JL;  Yan, FW;  Zhu, QX   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/12/23 A high responsivity and controllable recovery ultraviolet detector based on a WO3 gate AlGaN/GaN heterostructure with an integrated micro-heater† 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2020, 卷号: 8, 期号: 16, 页码: 5409-5416 作者:  Jianwen Sun;   Shuo Zhang;   Teng Zhan;   Zewen Liu;   Junxi Wang;   Xiaoyan Yi;   Jinmin Li;   Pasqualina M. Sarro;   Guoqi Zhang   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2021/06/22 Strong interfacial coupling effects of ferroelectric polarization with two-dimensional electron gas in BaTiO3/MgO/AlGaN/GaN/Si heterostructures 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2019, 卷号: 7, 期号: 19, 页码: 5677 作者:  Li, Guanjie;  Li, Xiaomin;  Zhao, Junliang;  Zhu, Qiuxiang;  Chen, Yongbo   |  收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2019/12/26 Realization of an efficient electron source by ultraviolet-light-assisted field emission from a one-dimensional ZnO nanorods/n-GaN heterostructure photoconductive detector 期刊论文  OAI收割 Nanoscale, 2019, 卷号: 11, 期号: 3, 页码: 1351-1359 作者:  Y.R.Chen;  Z.W.Zhang;  H.Jiang;  Z.M.Li;  G.Q.Miao   |  收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2020/08/24 nanostructures,growth,photoluminescence,microstructure,films,Chemistry,Science & Technology - Other Topics   Observation of terahertz plasmon and plasmon-polariton splitting in a grating-coupled AlGaN/GaN heterostructure 期刊论文  OAI收割 OPTICS EXPRESS, 2018 作者:  Zhang, Zhipeng;  Qin, Hua(秦华);  Zheng, Zhongxin(郑中信);  Yu, Yao(余耀);  Zhang, Baoshun(张宝顺)   |  收藏  |  浏览/下载：75/0  |  提交时间：2019/03/27 Ultrathin-Barrier AlGaN/GaN Heterostructure: A Recess-Free Technology for Manufacturing High-Performance GaN-on-Si Power Devices 期刊论文  OAI收割 IEEE Transactions on Electron Devices, 2018 作者:  Shi JY(史敬元);  Fan J(樊捷);  Kang XW(康玄武);  Wang XH(王鑫华);  Huang S(黄森)   |  收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2019/04/19 Ultrathin-Barrier AlGaN/GaN Heterostructure: A Recess-Free Technology for Manufacturing High-Performance GaN-on-Si Power Devices 期刊论文  OAI收割 IEEE Transactions on Electron Devices, 2017 作者:  Huang, Sen;  Liu, Xinyu;  Wang, Xinhua;  Kang, Xuanwu;  Zhang, Jinhan   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2018/02/06 High Uniformity Normally-OFF GaN MIS-HEMTs Fabricated on Ultra-Thin-Barrier AlGaN/GaN Heterostructure 期刊论文  OAI收割 IEEE Electron Device Letters, 2016 作者:  Liu XY(刘新宇);  Huang S(黄森);  Wang XH(王鑫华)   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2017/05/08 Investigation of the interface between LPCVD-SiNx gate dielectric and III-nitride for AlGaN/GaN MIS-HEMTs 期刊论文  OAI收割 Journal of Vacuum Science & Technology B, 2016 作者:  Wang XH(王鑫华)   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2017/05/08