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浏览/检索结果: 共88条，第1-10条 帮助

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一种双光路脉冲激光在Si（100）基片上沉积InGaN薄膜的方法 专利  OAI收割
专利号: CN109830429A, 申请日期: 2019-05-31, 公开日期: 2019-05-31
作者:  陆珊珊;  刘宇伦;  莫观孔;  莫组康;  沈晓明
  |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/12/30
304不锈钢在海水中的腐蚀磨损性能与表面防护研究 学位论文  OAI收割
北京: 中国科学院大学, 2019
作者:  范娜
  |  收藏  |  浏览/下载：85/0  |  提交时间：2019/10/31
反应磁控溅射制备AlN薄膜及其耐腐蚀性能研究 学位论文  OAI收割
北京: 中国科学院大学, 2018
作者:  王雄伟
  |  收藏  |  浏览/下载：88/0  |  提交时间：2019/10/31
一种GaN薄膜的外延生长方法及应用 专利  OAI收割
专利号: CN106328774A, 申请日期: 2017-01-11, 公开日期: 2017-01-11
作者:  李国强;  王海燕;  林志霆
  |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/31
Si基溅射法AlN缓冲层薄膜制备研究 学位论文  OAI收割
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
张硕
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2016/06/12
PEALD沉积温度对AlN的结构和表面特性的影响（英文） 期刊论文  OAI收割
红外与激光工程, 2016, 期号: 4, 页码: 219-222
作者:  陈芳;  方铉;  王双鹏;  牛守柱;  方芳
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2017/09/17
声子晶体点缺陷模式及其传感特性研究 学位论文  OAI收割
博士: 中国科学院大学, 2015
作者:  李鹏
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2016/04/11
ALD制备InP基半导体激光器中的表面钝化方法 专利  OAI收割
专利号: CN104143760A, 申请日期: 2014-11-12, 公开日期: 2014-11-12
作者:  魏志鹏;  田珊珊;  方铉;  唐吉龙;  李金华
  |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/31
氮化铝压电薄膜的反应磁控溅射制备与性能表征 学位论文  OAI收割
博士: 中国科学院大学, 2014
毕晓猛
收藏  |  浏览/下载：210/0  |  提交时间：2014/08/21
利用AlN薄膜钝化在AlGaN/GaN功率HEMT上实现低动态导通电阻 期刊论文  OAI收割
ECS Transactions, 2013
作者:  黄森;  陈敬
  |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2014/10/27