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内容类型

• 专利 [20]

发表日期

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学科主题

• 光电子学 [1]
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浏览/检索结果: 共20条，第1-10条 帮助 限定条件 内容类型：专利     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 一种双光路脉冲激光在Si（100）基片上沉积InGaN薄膜的方法 专利  OAI收割 专利号: CN109830429A, 申请日期: 2019-05-31, 公开日期: 2019-05-31 作者:  陆珊珊;  刘宇伦;  莫观孔;  莫组康;  沈晓明   |  收藏  |   一种GaN薄膜的外延生长方法及应用 专利  OAI收割 专利号: CN106328774A, 申请日期: 2017-01-11, 公开日期: 2017-01-11 作者:  李国强;  王海燕;  林志霆   |  收藏  |   ALD制备InP基半导体激光器中的表面钝化方法 专利  OAI收割 专利号: CN104143760A, 申请日期: 2014-11-12, 公开日期: 2014-11-12 作者:  魏志鹏;  田珊珊;  方铉;  唐吉龙;  李金华   |  收藏  |   一种晶体硅太阳能电池p型硅表面的钝化层及其制备方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 申请日期: 2011-11-23, 公开日期: 2013-12-16 万青; 竺立强; 龚骏 收藏  |   基于SOI衬底的高介电常数材料栅结构及其制备方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: CN101950757A, 申请日期: 2011-01-19, 公开日期: 2011-01-19 程新红; 徐大伟; 王中健; 何大伟; 宋朝瑞; 俞跃辉 收藏  |   一种氮化镓基场效应管及其制作方法 专利  OAI收割 专利号: CN200610127867.9, 申请日期: 2009-06-24, 公开日期: 2008-03-26 作者:  李诚瞻;  刘键;  刘新宇;  刘果果;  郑英奎   |  收藏  |   基于Al2O3衬底的GaN薄膜的生长方法 专利  OAI收割 专利号: CN100492592C, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 2009-05-27 作者:  郝跃;  倪金玉;  张进成   |  收藏  |   一种刻蚀基板法外延定向生长氮化物纳米片网格的方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明专利, 申请日期: 2008-09-03, 公开日期: 2008-09-03 丛洪涛, 唐永炳 and 成会明 收藏  |   硅衬底上Ⅲ族氮化物半导体外延生长技术 专利  OAI收割 专利号: CN1725445A, 申请日期: 2006-01-25, 公开日期: 2006-01-25 作者:  冯玉春;  郭宝平;  牛憨笨;  李忠辉   |  收藏  |   III族窒化物半導体薄膜の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3707211B2, 申请日期: 2005-08-12, 公开日期: 2005-10-19 作者:  大井 明彦;  鈴木 健;  松井 俊之;  松山 秀昭;  上條 洋   |  收藏  |