中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页 机构 成果 学者
  
  1. CAS IR Grid
机构
采集方式
内容类型
发表日期
学科主题
筛选

浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助

条数/页： 排序方式：
Laser performance of LD side-pumped high-efficiency YSGG/Er:YSGG/YSGG bonding crystal rod with concave end-faces 期刊论文  OAI收割
INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2021, 卷号: 119
作者:  Hu, Lunzhen;  Sun, Dunlu;  Zhang, Huili;  Luo, Jianqiao;  Quan, Cong
  |  收藏  |  浏览/下载：67/0  |  提交时间：2022/01/10
13-W and 1000-Hz of a 2.7-mu m laser on the 968 nm LD side-pumped Er: YAP crystal with concave end-faces 期刊论文  OAI收割
OPTICS EXPRESS, 2021, 卷号: 29
作者:  Quan, Cong;  Sun, Dunlu;  Zhang, Huili;  Luo, Jianqiao;  Hu, Lunzhen
  |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2021/08/30
Improvement of 2.79-μm laser performance on laser diode side-pumped GYSGG/Er,Pr:GYSGG bonding rod with concave end-faces 期刊论文  OAI收割
Chinese Physics. B, 2019, 卷号: 28
作者:  Zhao Xuyao;  Sun Dunlu;  Luo Jianqiao;  Zhang Huili;  Fang Zhongqing
  |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/11/25
半導体レーザ装置 专利  OAI收割
专利号: JP2661772B2, 申请日期: 1997-06-13, 公开日期: 1997-10-08
作者:  粂 雅博;  永井 秀男
  |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/01/13
Semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1992253387A, 申请日期: 1992-09-09, 公开日期: 1992-09-09
作者:  TANAKA HIDENAO;  SHIMOKAWA FUSAO;  UENISHI YUJI;  SHIMADA JUNICHI
  |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/01/13
Semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: JP1989098286A, 申请日期: 1989-04-17, 公开日期: 1989-04-17
作者:  MORI KAZUKOTO
  |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/13
Semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: JP1983225678A, 申请日期: 1983-12-27, 公开日期: 1983-12-27
作者:  YAMAZOE YOSHIMITSU
  |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/18
Optical coupling device 专利  OAI收割
专利号: GB1315333A, 申请日期: 1973-05-02, 公开日期: 1973-05-02
作者:  -
  |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/24