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浏览/检索结果: 共20条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Role of vacancy-type defects in magnetism of GaMnN 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2016, 卷号: 25, 期号: 6 作者:  Xing HY(邢海英);  Chen Y(陈雨);  Yuan MY(苑梦尧);  Guo ZY(郭志英);  Li K(李琨) 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2016/08/29 利用软X射线技术研究室温稀磁半导体GaMnN铁磁性形成机理 学位论文  OAI收割 北京: 中国科学院, 2016 作者:  邢海英   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/03/18 GaMnN  同步辐射软X射线  密度泛函理论  铁磁性起源   一种制备GaMnN稀磁半导体薄膜材料的方法 专利  OAI收割 专利号: CN105018902A, 申请日期: 2015-11-04, 公开日期: 2015-11-04 作者:  高兴国   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/31 Mid-gap photoluminescence and magnetic properties of GaMnN films grown by metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2014, 卷号: 23, 期号: 10, 页码: 107803 作者:  Xing HY(邢海英);  Xing, HY;  崔明启;Xu, ZC;  Cui, MQ;  Xie, YX 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2016/04/08 GaMnN  photoluminescence  magnetism  metal-organic chemical vapor deposition   Hole mediated magnetism in mn-doped gan nanowires 期刊论文  iSwitch采集 Journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 7, 页码: 4 作者:  Zhang, Xiu-Wen;  Li, Jingbo;  Chang, Kai;  Li, Shu-Shen;  Xia, Jian-Bai 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Hole mediated magnetism in Mn-doped GaN nanowires 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011, 2011, 卷号: 109, 109, 期号: 7, 页码: article no.74313, Article no.74313 作者:  Zhang XW;  Li JB;  Chang K;  Li SS;  Xia JB   |  收藏  |  浏览/下载：61/4  |  提交时间：2011/07/05 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ROOM-TEMPERATURE  QUANTUM WIRES  SEMICONDUCTORS  FERROMAGNETISM  FIELD  GAMNN  Molecular-beam Epitaxy  Room-temperature  Quantum Wires  Semiconductors  Ferromagnetism  Field  Gamnn   Fabrication of mn-doped gan nanobars 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 4 作者:  Xue Cheng-Shan;  Liu Wen-Jun;  Shi Feng;  Zhuang Hui-Zhao;  Guo Yong-Fu 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Preparation and properties of antiperovskite-type nitrides: InNNi3 and InNCO3 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF SOLID STATE CHEMISTRY, 2009, 卷号: 182, 期号: 12, 页码: 3353 Cao, WH; He, B; Liao, CZ; Yang, LH; Zeng, LM; Dong, C 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2013/09/24 ELECTRONIC-STRUCTURE  PHYSICAL-PROPERTIES  BEHAVIOR  MN3GAN  MGCNI3  GAMNN  DIFFRACTION  MOSSBAUER  MANGANESE  NIFE3N   Ferromagnetism of Mn-doped GaN polycrystalline powders 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS, 2009, 卷号: 321, 期号: 3, 页码: 222 Li, H; Song, B; Bao, HQ; Wang, G; Wang, WJ; Chen, XL 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2013/09/17 GAMNN MAGNETIC SEMICONDUCTOR  MOLECULAR-BEAM-EPITAXY  TEMPERATURE FERROMAGNETISM  THIN-FILMS  LAYERS  GA1-XMNXN  ZNO   First principle study of mg, si and mn co-doped gan 期刊论文  iSwitch采集 Acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 1, 页码: 450-458 作者:  Xing Hai-Ying;  Fan Guang-Han;  Zhang Yong;  Zhao De-Gang 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2019/05/12 Mg, si and mn co-doped gan  Electronic structure  T(c)  Optical properties