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浏览/检索结果: 共46条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 First-principles study of He retention and clustering in Al-Ga alloy 期刊论文  OAI收割 INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS C, 2022 作者:  Wei, Liuming;  Li, Jingyu;  Li, Yonggang;  Ye, Xiaoqiu;  Niu, Caoping   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2022/12/23 He ion-irradiation  Al-Ga alloy  first-principles  He clusters   Strain effects on the behavior of intrinsic point defects within the GaN/AlN interface 期刊论文  OAI收割 INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS C, 2022 作者:  Yang, Yuming;  Zhang, Xuemei;  Liu, Jun;  Zhang, Chuanguo;  Li, Yonggang   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2022/12/23 GaN  AlN interface  strain effects  intrinsic point defects  first-principles calculations  diffusion barrier   Long-term behavior of vacancy defects in Pu-Ga alloy: Effects of temperature and Ga concentration 期刊论文  OAI收割 COMPUTATIONAL AND THEORETICAL CHEMISTRY, 2021, 卷号: 1204, 页码: 10 作者:  Xu, Lei;  Wang, Li-Fang;  Chen, Xin;  Gao, Xing-Yu;  Shang, Hong-Hui   |  收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2021/12/01 Vacancy defects  Dynamical evolution  Pu-Ga alloy  Actinide metals  Atomistic kinetic Monte Carlo  Molecular dynamics   Characterization of Zn-doped GaN grown by metal-organic vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 Rare Metals, 2020, 卷号: 39, 期号: 11, 页码: 1328-1332 作者:  C. T. Wu,Y. Zhou,Q. Y. Sun,L. Q. Huang,A. L. Li and Z. M. Li   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2021/07/06 Degradation mechanisms of optoelectric properties of GaN via highly-charged Bi-209(33+) ions irradiation 期刊论文  OAI收割 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2018, 卷号: 440, 页码: 814-820 作者:  Xian, Y. Q.;  Zhang, L. Q.;  Li, J. Y.;  Su, C. H.;  Chen, Y. G.   |  收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2018/05/22 GaN  Highly-charged bismuth-ion irradiation  Raman spectrum  Varying temperature photoluminescence (PL) spectrum  Optoelectric properties   GaAs monolayer: Excellent SHG responses and semi metallic to metallic transition modulated by vacancy effect 期刊论文  OAI收割 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2018, 卷号: 441, 期号: 5, 页码: 401-407 作者:  Rozahun, I (Rozahun, Ilmira);  Bahti, T (Bahti, Tohtiaji);  He, GJ (He, Guijie);  Ghupur, Y (Ghupur, Yasenjan);  Ablat, A (Ablat, Abduleziz)   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2018/05/07 First-principles Calculation  Gaas Monolayer  Shg Response  Vacancy   Room Temperature Ferromagnetism in Si-Doped GaN Powders 期刊论文  OAI收割 SCIENCE OF ADVANCED MATERIALS, 2014, 卷号: 6, 期号: 2, 页码: 263 Ababakri, R; Song, B; Wang, G; Zhang, ZH; Wu, R; Li, J; Jian, JK 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2015/04/14 Ferromagnetism  Diluted Magnetic Semiconductors  Si-Doped GaN  Gallium Vacancy   Ethane Activation by Nb-Doped NiO 期刊论文  OAI收割 Journal of Physical Chemistry C, 2013, 卷号: 117, 期号: 45, 页码: 23597-23608 X. Y. Sun; B. Li; H. Metiu 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2013/12/24 catalytic oxidative dehydrogenation  molybdenum oxide catalysts  transition-metal surfaces  millisecond contact times  gallium-loaded  catalysts  oxygen-vacancy formation  vacuum-cleaved nio(100)  evans-polanyi relation  rare-earth-oxides  o mixed oxides   Defect properties of as-grown and electron-irradiated te-doped gasb studied by positron annihilation 期刊论文  iSwitch采集 Semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: 6 作者:  Li Hui;  Zhou Kai;  Pang Jingbiao;  Shao Yundong;  Wang Zhu 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Defect properties of as-grown and electron-irradiated Te-doped GaSb studied by positron annihilation 期刊论文  OAI收割 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: 6 作者:  Li Hui;  Zhou Kai;  Pang Jingbiao;  Shao Yundong;  Wang Zhu   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2021/02/02