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浏览/检索结果: 共87条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 基于Pt纳米颗粒修饰GaN纳米线的紫外光电探测器及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: 201611068958.X, 申请日期: 2019-10-22, 作者:  刘宝丹、张兴来、刘青云、杨文进、李晶、刘鲁生、姜辛   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2021/03/01 基于单根孪晶结构GaN纳米线的紫外光电探测器及制备方法 专利  OAI收割 专利号: 201610818729.9, 申请日期: 2019-10-22, 作者:  姜辛、刘宝丹、张兴来、刘青云、贾文博、刘鲁生   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2021/03/01 背照射MIS结构AlGaN日盲紫外光电探测器材料生长与光电特性研究 学位论文  OAI收割 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2018 作者:  韩五月   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/09/23 光电探测器  日盲紫外  AlGaN材料  金属有机化学气相沉积  金属-绝缘层-半导体结构   一种有机 GaN 异质p-n 结紫外光探测器及其制备方法 专利  OAI收割 专利号: 201310495473.9, 申请日期: 2017-08-08, 作者:  潘革波;  胡立峰;  邓凤祥;  赵宇;  肖燕   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2018/02/28 GaN基紫外探测器读出电路注入效率 期刊论文  OAI收割 红外与激光工程, 2017, 期号: 11, 页码: 171-176 作者:  马丁;  刘福浩;  李向阳;  张燕   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2018/11/20 注入效率  紫外探测器  CTIA结构读出电路   背照式InGaN紫外探测器的制备与数值模拟 期刊论文  OAI收割 半导体光电, 2017, 期号: 4, 页码: 498-501 作者:  黄波;  许金通;  王玲;  张燕   |  收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2018/11/20 InGaN  p-i-n  紫外探测器  制备  数值模拟   GaN基紫外探测器的欧姆接触工艺和器件物理研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016 李晓静 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2016/06/02 石墨烯与GaN材料的接触研究 学位论文  OAI收割 硕士: 中国科学院大学, 2015 作者:  徐昌一 收藏  |  浏览/下载：77/0  |  提交时间：2016/04/11 石墨烯  GaN  探测器  MOCVD  肖特基接触   AlxGa1-xN和AlN/GaN材料的MOCVD生长与器件研究 学位论文  OAI收割 博士: 中国科学院大学, 2014 作者:  陈一仁 收藏  |  浏览/下载：127/0  |  提交时间：2014/08/21 氧化锌纳米结构新型紫外光电器件的研制 学位论文  OAI收割 博士: 中国科学院大学, 2014 作者:  王飞;  王飞 收藏  |  浏览/下载：89/0  |  提交时间：2014/08/21