机构

• 金属研究所 [2]
• 半导体研究所 [2]
• 上海技术物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [4]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [5]

发表日期

• 2019 [1]
• 2011 [4]

学科主题

• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Raman spectroscopic determination of hole concentration in undoped GaAsBi 期刊论文  OAI收割 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2019, 卷号: 34, 期号: 1, 页码: 15008 作者:  Zhu Sixin;  Qiu Weiyang;  Wang Han;  Lin Tie;  Chen Pingping   |  收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2019/11/13 GaAsBi  Raman spectroscopy  LO-phonon-plasmon-modes  Hole density  Hall measurements   Determination of the transport properties in 4h-sic wafers by raman scattering measurement 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: 6 作者:  Sun Guo-Sheng;  Liu Xing-Fang;  Wu Hai-Lei;  Yan Guo-Guo;  Dong Lin 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 4h-sic  Raman scattering  Lopc modes  Transport properties   Determination of the transport properties in 4H-SiC wafers by Raman scattering measurement 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2011, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: 6 作者:  Sun Guo-Sheng;  Liu Xing-Fang;  Wu Hai-Lei;  Yan Guo-Guo;  Dong Lin   |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2021/02/02 4H-SiC  Raman scattering  LOPC modes  transport properties   Determination of the transport properties in 4H-SiC wafers by Raman scattering measurement 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2011, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: 6 作者:  Sun Guo-Sheng;  Liu Xing-Fang;  Wu Hai-Lei;  Yan Guo-Guo;  Dong Lin   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2021/02/02 4H-SiC  Raman scattering  LOPC modes  transport properties   Determination of the transport properties in 4H-SiC wafers by Raman scattering measurement 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: article no.33301 作者:  Liu XF;  Yan GG;  Zheng L;  Dong L 收藏  |  浏览/下载：37/3  |  提交时间：2011/07/05 4H-SiC  Raman scattering  LOPC modes  transport properties  SILICON-CARBIDE  LIGHT  GAP