机构

• 半导体研究所 [5]
• 物理研究所 [1]
• 高能物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [5]
• iSwitch采集 [2]

内容类型

• 期刊论文 [7]

发表日期

• 2006 [4]
• 2005 [3]

学科主题

• 光电子学 [3]
• Physics [1]

筛选

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 The effects of lt aln buffer thickness on the properties of high al composition algan epilayers 期刊论文  iSwitch采集 Materials letters, 2006, 卷号: 60, 期号: 29-30, 页码: 3693-3696 作者:  Wang, X. L. 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/12 Algan  Lt aln  Taxrd  Dislocation   Characteristics of ingan multiple quantum well blue-violet laser diodes 期刊论文  iSwitch采集 Science in china series e-technological sciences, 2006, 卷号: 49, 期号: 6, 页码: 727-732 作者:  Li Deyao;  Zhang Shuming;  Wang Jianfeng;  Chen Jun;  Chen Lianghui 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Metalorganic chemical vapor deposition (mocvd)  Gan-hased laser diodes  Multiple quantum well  Ridge waveguide  Threshold current   The effects of LT AlN buffer thickness on the properties of high Al composition AlGaN epilayers 期刊论文  OAI收割 materials letters, 2006, 卷号: 60, 期号: 29-30, 页码: 3693-3696 Wang XL (Wang X. L.); Zhao DG (Zhao D. G.); Li XY (Li X. Y.); Gong HM (Gong H. M.); Yang H (Yang H.); Liang JW (Liang J. W.) 收藏  |  浏览/下载：106/0  |  提交时间：2010/04/11 AlGaN  LT AlN  TAXRD  dislocation   Characteristics of InGaN multiple quantum well blue-violet laser diodes 期刊论文  OAI收割 science in china series e-technological sciences, 2006, 卷号: 49, 期号: 6, 页码: 727-732 Li DY (Li Deyao); Zhang SM (Zhang Shuming); Wang JF (Wang Jianfeng); Chen J (Chen Jun); Chen LH (Chen Lianghui); Chong M (Chong Ming); Zhu JJ (Zhu Jianjun); Zhao DG (Zhao Degang); Liu ZS (Liu Zongshun); Yang H (Yang Hui); Liang JW (Liang Junwu) 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/04/11 metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD)  GaN-hased laser diodes  multiple quantum well  ridge waveguide  threshold current  ELECTRICAL-PROPERTIES  GAN SUBSTRATE  CONTACTS   Influence of dislocations on photoluminescence of InGaN/GaN multiple quantum wells 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 87, 期号: 7 Zhang, JC; Jiang, DS; Sun, Q; Wang, JF; Wang, YT; Liu, JP; Chen, J; Jin, RQ; Zhu, JJ; Yang, H; Dai, T; Jia, QJ 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2013/09/17 X-RAY-DIFFRACTION  THREADING DISLOCATIONS  LAYER THICKNESS  BAND-GAP  SUPERLATTICES  CATHODOLUMINESCENCE  LUMINESCENCE  DENSITIES  EMISSION  FILMS   Influence of dislocations on photoluminescence of InGaN/GaN multiple quantum wells 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 87, 期号: 7, 页码: 71908 作者:  Zhang, JC;  Jiang, DS;  Sun, Q;  Wang, JF;  Wang, YT 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2016/06/29 Influence of dislocations on photoluminescence of InGaN/GaN multiple quantum wells 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2005, 卷号: 87, 期号: 7, 页码: art.no.071908 作者:  Jiang DS;  Zhang JC;  Yang H;  Zhang JC;  Zhang JC 收藏  |  浏览/下载：63/14  |  提交时间：2010/03/17 X-RAY-DIFFRACTION