机构

• 半导体研究所 [2]
• 物理研究所 [1]
• 宁波材料技术与工程研... [1]
• 过程工程研究所 [1]
• 合肥物质科学研究院 [1]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2023 [1]
• 2021 [1]
• 2018 [1]
• 2009 [1]
• 2003 [2]

学科主题

• 光电子学 [1]
• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Amorphous/Crystal Heterostructure Coupled Oxygen Vacancies-Sensitized TiO2 with Conspicuous Charge-Transfer Resonance for Efficient Sers Detection of Chloramphenicol 期刊论文  OAI收割 ADVANCED OPTICAL MATERIALS, 2023 作者:  Quan, Yingnan;  Tang, Xiang-Hu;  Lu, Wenjing;  Huo, Wang;  Song, Zongyin   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2023/11/17 amorphous/crystal heterostructure  charge-transfer resonance  chloramphenicol  oxygen vacancies  SERS   Harnessing the Volume Expansion of MoS3 Anode by Structure Engineering to Achieve High Performance Beyond Lithium-Based Rechargeable Batteries 期刊论文  OAI收割 ADVANCED MATERIALS, 2021, 卷号: 33, 期号: 45 作者:  Ma, Mingze;  Zhang, Shipeng;  Wang, Lifeng;  Yao, Yu;  Shao, Ruiwen   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2021/12/01 NEGATIVE ELECTRODE  SODIUM STORAGE  ION BATTERIES  HIGH-CAPACITY  NANOCOMPOSITES  EVOLUTION  BULK  LIFE   Controlled Growth of Heterostructured Ga/GaAs Nanowires with Sharp Schottky Barrier 期刊论文  OAI收割 CRYSTAL GROWTH & DESIGN, 2018, 卷号: 18, 期号: 8, 页码: 4438-4444 作者:  Wang, Zhou;  Wang, Ying;  Zhou, Xinyuan;  Yang, Zaixing;  Yin, Yanxue   |  收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2018/10/11 Inductively coupled plasma etching in fabrication of 2D InP-based photonic crystals 期刊论文  OAI收割 journal of vacuum science & technology b, 2009, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 1093-1096 Wang HL; Xing MX; Ren G; Zheng WH 收藏  |  浏览/下载：121/0  |  提交时间：2010/03/08 III-V semiconductors  indium compounds  photonic crystals  plasma materials processing  semiconductor lasers  sputter etching   Microstructure of GaN films grown on Si(111) substrates by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2003, 卷号: 256, 期号: 3-4, 页码: 416 Hu, GQ; Kong, X; Wan, L; Wang, YQ; Duan, XF; Lu, Y; Liu, XL 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2013/09/18 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HIGH-QUALITY GAN  HETEROEPITAXIAL GROWTH  ELECTRON-DIFFRACTION  DEFECT STRUCTURE  HETEROSTRUCTURE  DISLOCATIONS  MICROSCOPY  (111)SI  LAYER   Microstructure of GaN films grown on Si(111) substrates by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 3-4, 页码: 416-423 Hu GQ; Kong X; Wan L; Wang YQ; Duan XF; Lu Y; Liu XL 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2010/08/12 amorphous layer  dislocation  transmission electron microscopy  metalorganic chemical vapor deposition  GaN  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HIGH-QUALITY GAN  HETEROEPITAXIAL GROWTH  ELECTRON-DIFFRACTION  DEFECT STRUCTURE  HETEROSTRUCTURE  DISLOCATIONS  MICROSCOPY  (111)SI  LAYER