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• 半导体研究所 [61]

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• 期刊论文 [61]

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浏览/检索结果: 共61条，第1-10条 帮助 限定条件 存缴方式：iswitch    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Kinetic and relativistic effects on the surface alloy formation of submonolayer au adsorbed on si(111)-root 3 x root 3-pb surface 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2011, 卷号: 99, 期号: 21, 页码: 3 作者:  Li, Chong;  Wu, Fengmin;  Li, Jingbo 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Surface characterization of algan grown on si (111) substrates 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 331, 期号: 1, 页码: 29-32 作者:  Pan, Xu;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei;  Feng, Chun 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Island nucleation  Raman scattering  Si (111) substrate  Algan epilayers   One-pot synthesis, optical property and self-assembly of monodisperse silver nanospheres 期刊论文  iSwitch采集 Journal of solid state chemistry, 2011, 卷号: 184, 期号: 8, 页码: 1956-1962 作者:  Tang, Aiwei;  Qu, Shengchun;  Hou, Yanbing;  Teng, Feng;  Wang, Yongsheng 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 Ag nanospheres  Self-assembly  Optical property  Superlattice structures   Effect of growth temperature on the morphology and phonon properties of inas nanowires on si substrates 期刊论文  iSwitch采集 Nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: 7 作者:  Li, Tianfeng;  Chen, Yonghai;  Lei, Wen;  Zhou, Xiaolong;  Luo, Shuai 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Novel zinc oxide hexagonal prisms induced by polar surfaces 期刊论文  iSwitch采集 Materials characterization, 2011, 卷号: 62, 期号: 6, 页码: 593-598 作者:  Zhuang, Huizhao;  Li, Junlin;  Wang, Jie;  Xu, Peng;  An, Ning 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Zinc oxide  Polar surface  Thermal evaporation  Photoluminescence   Investigation of a gan nucleation layer on a patterned sapphire substrate 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 6, 页码: 4 作者:  Wu Meng;  Zeng Yi-Ping;  Wang Jun-Xi;  Hu Qiang 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/05/12 Effects of ultra-low al alloying in(al) as layer on the formation and evolution of inas/gaas quantum dots 期刊论文  iSwitch采集 Journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: 6 作者:  Zhou, X. L.;  Chen, Y. H.;  Li, T. F.;  Zhou, G. Y.;  Zhang, H. Y. 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 Vls growth of siox nanowires with a stepwise nonuniformity in diameter 期刊论文  iSwitch采集 Journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 8, 页码: 5 作者:  Huang, Shengli;  Wu, Yan;  Zhu, Xianfang;  Li, Lunxiong;  Wang, Zhanguo 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Study of molecular-beam epitaxy growth on patterned gaas (1 0 0) substrates by masked indium ion implantation 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 572-575 作者:  Zhou, Huiying;  Qu, Shengchun;  Jin, Peng;  Xu, Bo;  Ye, Xiaoling 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2019/05/12 Atom force microscopy  Nanostructures  Molecular-beam epitaxy  Nanomaterials  Semiconducting gallium arsenide   Electrical transport properties of the si-doped cubic boron nitride thin films prepared by in situ cosputtering 期刊论文  iSwitch采集 Journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 2, 页码: 5 作者:  Ying, J.;  Zhang, X. W.;  Yin, Z. G.;  Tan, H. R.;  Zhang, S. G. 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12