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  • 苏州纳米技术与纳米... [39]
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  • 2016 [39]
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Emission efficiency enhanced by introduction of the homogeneous localization states in InGaN/GaN multiple quantum well LEDs 期刊论文  OAI收割
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 681
作者:  Yang, J;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Zhu, JJ
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Photoelectron spectroscopy study of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD 期刊论文  OAI收割
APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2016, 卷号: 122, 期号: 9
作者:  Liang, F;  Chen, P
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Different variation behaviors of resistivity for high-temperature-grown and low-temperature-grown p-GaN films 期刊论文  OAI收割
CHINESE PHYSICS B, 2016, 卷号: 25, 期号: 2
作者:  Yang, J;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Liu, ZS
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Emission efficiency enhanced by reducing the concentration of residual carbon impurities in InGaN/GaN multiple quantum well light emitting diodes 期刊论文  OAI收割
OPTICS EXPRESS, 2016, 卷号: 24, 期号: 13
作者:  Yang, J;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Liu, ZS
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2017/03/11
Investigation of breakdown mechanism during field emission process of AlN thin film microscopic cold cathodee 期刊论文  OAI收割
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2016, 卷号: 34, 期号: 1
作者:  Liang, F;  Chen, P;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Liu, ZS
收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2017/03/11
Observation of positive and small electron affinity of Si-doped AlN films grown by metalorganic chemical vapor deposition on n-type 6H-SiC 期刊论文  OAI收割
CHINESE PHYSICS B, 2016, 卷号: 25, 期号: 5
作者:  Liang, F;  Chen, P;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Zhao, ZJ
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XPS study of impurities in Si-doped AlN film 期刊论文  OAI收割
SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS, 2016, 卷号: 48, 期号: 12
作者:  Liang, F;  Chen, P;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Zhao, ZJ
收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2017/03/11
Investigation of rapid degradation in GaN-based blue laser diodes 期刊论文  OAI收割
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2016, 卷号: 99
作者:  Wen, Pengyan(温鹏雁);  Zhang, Shuming(张书明);  Li, Deyao(李德尧);  Liu, Jianping(刘建平);  Zhang, Liqun(张立群)
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Influence of InGaN growth rate on the localization states and optical properties of InGaN/GaN multiple quantum wells 期刊论文  OAI收割
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2016, 卷号: 97
作者:  Li, X;  Zhao, DG;  Yang, J;  Jiang, DS;  Liu, ZS
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Control of threading dislocations by Al(Ga)InAs reverse-graded buffers grown on GaAs substrates 期刊论文  OAI收割
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016, 卷号: 55, 期号: 6
作者:  He, Y(何洋);  Sun, YR(孙玉润);  Song, Y;  Zhao, YM(赵勇明);  Yu, SZ(于淑珍)
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