中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
半导体研究所 [9]
采集方式
OAI收割 [9]
内容类型
期刊论文 [9]
发表日期
2007 [9]
学科主题
光电子学 [9]
筛选
浏览/检索结果:
共9条,第1-9条
帮助
限定条件
学科主题:光电子学
发表日期:2007
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
Does an enhanced yellow luminescence imply a reduction of electron mobility in n-type GaN?
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 2007, 卷号: 102, 期号: 11, 页码: art. no. 113521
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Zhu, JJ
;
Liu, ZS
;
Zhang, SM
;
Liang, JW
;
Yang, H
收藏
  |  
High performance 1689-nm quantum well diode lasers
期刊论文
OAI收割
chinese optics letters, 2007, 卷号: 5, 期号: 10, 页码: 585-587
Duan, YP
;
Lin, T
;
Wang, CL
;
Chong, F
;
Ma, XY
收藏
  |  
Correlation between optical and structural properties of (Al,Ga)N layers grown by MOCVD
期刊论文
OAI收割
physica status solidi a-applications and materials science, 2007, 卷号: 204, 期号: 1, 页码: 294-298
Jahn U (Jahn Uwe)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Ploog KH (Ploog Klaus H.)
;
Wang XL (Wang Xiaolan)
;
Zhao DG (Zha0 Degang)
;
Yang H (Yang, Hui)
收藏
  |  
Influence of the AlN interlayer crystal quality on the strain evolution of GaN layer grown on Si (111)
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, 2007, 卷号: 90, 期号: 1, 页码: art.no.011914
Liu W
;
Zhu JJ
;
Jiang S
;
Yang H
;
Wang JF
收藏
  |  
Influence of defects in n(-)-GaN layer on the responsivity of Schottky barrier ultraviolet photodetectors
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, 2007, 卷号: 90, 期号: 6, 页码: art.no.062106
作者:
Li XY
;
Jiang DS
;
Yang H
;
Zhu JJ
;
Zhang SM
收藏
  |  
Optical analysis of dislocation-related physical processes in GaN-based epilayers
期刊论文
OAI收割
physica status solidi b-basic solid state physics, 2007, 卷号: 244, 期号: 8, 页码: 2878-2891
Jiang, DS (Jiang, De-Sheng)
;
Zhao, DG (Zhao, De-Gang)
;
Yang, H (Yang, Hui)
收藏
  |  
Stress reduction in GaN films on (111) silicon-on-insulator substrate grown by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
OAI收割
materials letters, 2007, 卷号: 61, 期号: 22, 页码: 4416-4419
Sun JY (Sun Jiayin)
;
Chen J (Chen Jing)
;
Wang X (Wang Xi)
;
Wang JF (Wang Jianfeng)
;
Liu W (Liu Wei)
;
Zhu JJ (Zhu Jianjun)
;
Yang H (Yang Hui)
收藏
  |  
Effects of rapid thermal annealing on the emission properties of highly uniform self-assembled InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 mu m
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, 2007, 卷号: 90, 期号: 11, 页码: art.no.111912
Yang T (Yang, Tao)
;
Tatebayashi J (Tatebayashi, Jun)
;
Aoki K (Aoki, Kanna)
;
Nishioka M (Nishioka, Masao)
;
Arakawa Y (Arakawa, Yasuhiko)
收藏
  |  
Temperature dependence of absorption edge in MOCVD grown GaN
期刊论文
OAI收割
journal of materials science-materials in electronics, 2007, 卷号: 18, 期号: 12, 页码: 1229-1233
Majid A (Majid Abdul)
;
Ali A (Ali Akbar)
;
Zhu JJ (Zhu Jianjun)
收藏
  |