机构

• 半导体研究所 [5]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [5]

发表日期

• 2012 [5]

学科主题

• 光电子学 [5]

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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学    发表日期：2012     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Enhanced photoluminescence of multilayer Ge quantum dots on Si(001) substrates by increased overgrowth temperature 期刊论文  OAI收割 nanoscale research letters, 2012, 卷号: 7, 页码: 1-11 Liu, Zhi; Cheng, Buwen; Hu, Weixuan; Su, Shaojian; Li, Chuanbo; Wang, Qiming 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/05/07 Enhanced photoluminescence and electroluminescence of multilayer GeSi islands on Si(001) substrates by phosphorus-doping 期刊论文  OAI收割 optics express, 2012, 卷号: 20, 期号: 20, 页码: 22327-22333 Liu Z (Liu, Zhi); Hu WX (Hu, Weixuan); Su SJ (Su, Shaojian); Li C (Li, Chong); Li CB (Li, Chuanbo); Xue CL (Xue, Chunlai); Li YM (Li, Yaming); Zuo YH (Zuo, Yuhua); Cheng BW (Cheng, Buwen); Wang QM (Wang, Qiming) 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/03/27 Room-temperature direct-bandgap photoluminescence from strain-compensated Ge/SiGe multiple quantum wells on silicon 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2012, 卷号: 21, 期号: 1, 页码: 17805 Hu, WX; Cheng, BW; Xue, CL; Zhang, GZ; Su, SJ; Zuo, YH; Wang, QM 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/03/17 Photoluminescence and Raman studies on Ge-based complexes in Si-doped GaInP epilayers grown on Germanium 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, Journal of Applied Physics, 2012, 2012, 卷号: 112, 112, 期号: 2, 页码: 023509, 023509 作者:  He, W;  Lu, S.L;  Jiang, D.S;  Dong, J.R;  Tackeuchi, A   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2013/05/07 Photoluminescence properties of Al-rich AlXGa1-XN grown on AlN/sapphire template by MOCVD 期刊论文  OAI收割 physica status solidi (c) current topics in solid state physics, Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, 2012, 2012, 卷号: 9, 9, 期号: 3-4, 页码: 733-736, 733-736 作者:  Zeng, Jianping;  Yan, Jianchang;  Wang, Junxi;  Cong, Peipei;  Li, Jinmin   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2013/05/07