机构

• 半导体研究所 [21]

采集方式

• OAI收割 [21]

内容类型

• 期刊论文 [21]

发表日期

• 2011 [21]

学科主题

• 半导体材料 [21]

筛选

浏览/检索结果: 共21条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料    发表日期：2011     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Anomalous Temperature Dependence of Photoluminescence in InAs/InAlGaAs/InP Quantum Wire and Dot Hybrid Nanostructures 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: article no.27801 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：51/3  |  提交时间：2011/07/05 CONTINUOUS-WAVE OPERATION  EMISSION  LASERS  WAVELENGTH  EXCITONS  ENERGY   Thermal carrier processes in bimodal-sized quantum dots with different lateral coupling strength 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2011, 卷号: 99, 期号: 3, 页码: 31903 Zhou XL; Chen YH; Li TF; Ye XL; Xu B; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2012/02/06 REDISTRIBUTION   Experimental and theoretical study for InAs quantum dashes-in-a-step-well structure on (001)-oriented InP substrate 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 8, 页码: article no.84345 Kong JX; Zhu QS; Xu B; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：39/3  |  提交时间：2011/07/05 Effects of ultra-low Al alloying In(Al) As layer on the formation and evolution of InAs/GaAs quantum dots 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: article no.94311 作者:  Xu B;  Zhou GY;  Ye XL;  Zhang HY 收藏  |  浏览/下载：53/5  |  提交时间：2011/07/05 SELF-ORGANIZED ISLANDS  MOLECULAR-BEAM-EPITAXY  OPTICAL-PROPERTIES  SURFACES  EMISSION  DENSITY  SIZE   Improvement of electroluminescent performance of n-ZnO/AlN/p-GaN light-emitting diodes by optimizing the AlN barrier layer 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: article no.93708 作者:  Zhang XW 收藏  |  浏览/下载：47/3  |  提交时间：2011/07/05 UV ELECTROLUMINESCENCE  THIN-FILMS  ZNO   Temperature performance of the edge emitting transistor laser 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2011, 卷号: 99, 期号: 1, 页码: 13503 Liang S; Zhu HL; Kong DH; Niu B; Zhao LJ; Wang W 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/02/06 HETEROSTRUCTURE LASER  BIPOLAR-TRANSISTOR  OPERATION  INTEGRATION   Electron mobility in modulation-doped AlSb/InAs quantum wells 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 7, 页码: article no.73703 作者:  Zhang Y;  Li YB 收藏  |  浏览/下载：52/5  |  提交时间：2011/07/05 ACOUSTIC-PHONON-SCATTERING  LOW-POWER APPLICATIONS  TRANSPORT-PROPERTIES  INTERFACE ROUGHNESS  INAS/ALSB HEMTS  HETEROSTRUCTURES  INAS  TRANSISTORS  GAS  LAYERS   The p recombination layer in tunnel junctions for micromorph tandem solar cells 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 7, 页码: 78402 Yao WJ; Zeng XB; Peng WB; Liu SY; Xie XB; Wang C; Liao XB 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/02/06 SILICON   Short-wavelength InAlGaAs/AlGaAs quantum dot superluminescent diodes 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 10, 页码: 108503 Liang, DC; An, Q; Jin, P; Li, XK; Wei, H; Wu, J; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/02/06 InAlGaAs quantum dot  superluminescent diode  optical coherence tomography  short wavelength  OPTICAL COHERENCE TOMOGRAPHY  RESOLUTION   Wurtzite to zincblende transition of InN films on(011) SrTiO3 by decreasing trimethylindium flows 期刊论文  OAI收割 applied physics a: materials science and processing, 2011, 页码: 1-5 Jia, C.H.; Chen, Y.H.; Zhang, B.; Liu, X.L.; Yang, S.Y.; Zhang, W.F.; Wang, Z.G. 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/06/14 Absorption  Absorption spectroscopy  Crystal atomic structure  Epitaxial growth  Metallorganic chemical vapor deposition  Optical properties  Organic chemicals  Strontium alloys  Strontium titanates  X ray diffraction  Zinc sulfide