机构

• 半导体研究所 [17]

采集方式

• OAI收割 [17]

内容类型

• 期刊论文 [17]

发表日期

• 2009 [17]

学科主题

• 半导体物理 [17]

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浏览/检索结果: 共17条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理    发表日期：2009     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Distribution of dislocations in GaSb and InSb epilayers grown on GaAs (001) vicinal substrates 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 9, 页码: art. no. 094903 Li MC; Qiu YX; Liu GJ; Wang YT; Zhang BS; Zhao LC 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/03/08 X-RAY-DIFFRACTION  MOLECULAR-BEAM-EPITAXY  FILMS  MISFIT   Electrically Pumped Room-Temperature Pulsed InGaAsP-Si Hybrid Lasers Based on Metal Bonding 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: art. no. 064211 作者:  Wang Y;  Pan JQ 收藏  |  浏览/下载：112/0  |  提交时间：2010/03/08 CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION  WAVE-GUIDE CIRCUIT  DOUBLE HETEROSTRUCTURES  SILICON SUBSTRATE  CW OPERATION  WAFER  DEVICES  FILMS   EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH OF GaN ON SILICON-ON-INSULATOR 期刊论文  OAI收割 modern physics letters b, 2009, 卷号: 23, 期号: 15, 页码: 1881-1887 Zhang B; Chen J; Wang X; Wu AM; Luo JX; Wang X; Zhang MA; Wu YX; Zhu JJ; Yang H 收藏  |  浏览/下载：72/0  |  提交时间：2010/03/08 GaN  epitaxial lateral overgrowth   Efficient hole transport in asymmetric coupled InGaN multiple quantum wells 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 16, 页码: art.no.161110 Zhang JY (Zhang Jiang-Yong); Cai LE (Cai Li-E); Zhang BP (Zhang Bao-Ping); Hu XL (Hu Xiao-Long); Jiang F (Jiang Fang); Yu JZ (Yu Jin-Zhong); Wang QM (Wang Qi-Ming) 收藏  |  浏览/下载：142/33  |  提交时间：2010/03/08 Properties of AlyGa1-yN/AlxGa1-xN/AlN/GaN Double-Barrier High Electron Mobility Transistor Structure 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: art. no. 017301 Guo LC; Wang XL; Xiao HL; Ran JX; Wang CM; Ma ZY; Luo WJ; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：193/43  |  提交时间：2010/03/08 CONTENT ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  AL-CONTENT  ALGAN/ALN/GAN HETEROSTRUCTURES  HEMT STRUCTURES  PHASE EPITAXY  SAPPHIRE  GAS  DENSITIES   Size distributions of quantum islands on stepped substrates 期刊论文  OAI收割 journal of chemical physics, 2009, 卷号: 131, 期号: 15, 页码: art.no.154704 Liang S (Liang, S.); Zhu HL (Zhu, H. L.); Wang W (Wang, W.) 收藏  |  浏览/下载：304/92  |  提交时间：2010/03/08 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION   Time-Resolved Photoluminescence of Metamorphic InGaAs Quantum Wells 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 10, 页码: art.no.107803 Ma SS (Ma Shan-Shan); Wang, BR (Wang Bao-Rui); Sun BQ (Sun Bao-Quan); Wu DH (Wu Dong-Hai); Ni HQ (Ni Hai-Qiao); Niu ZC (Niu Zhi-Chuan) 收藏  |  浏览/下载：179/72  |  提交时间：2010/03/08 MOLECULAR-BEAM EPITAXY   Deep levels in high resistivity GaN detected by thermally stimulated luminescence and first-principles calculations 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 15, 页码: art. no. 155403 作者:  Li JB;  Hou QF 收藏  |  浏览/下载：65/11  |  提交时间：2010/03/08 N-TYPE GAN  ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS  VAPOR-PHASE EPITAXY  DEFECTS  THERMOLUMINESCENCE  CARBON  TRAP   Controlling electronic structures by irradiation in single-walled SiC nanotubes: a first-principles molecular dynamics study 期刊论文  OAI收割 nanotechnology, 2009, 卷号: 20, 期号: 7, 页码: art. no. 075708 作者:  Li JB 收藏  |  浏览/下载：164/21  |  提交时间：2010/03/08 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  SILICON-CARBIDE NANOTUBES  FORMATION ENERGIES  CARBON NANOTUBES  BORON-NITRIDE  NANOWIRES  COMPOSITES  DEFECTS  FUSION   Room temperature photoluminescence of tensile-strained Ge/Si0.13Ge0.87 quantum wells grown on silicon-based germanium virtual substrate 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 14, 页码: art. no. 141902 Chen YH; Li C; Zhou ZW; Lai HK; Chen SY; Ding WC; Cheng BW; Yu YD 收藏  |  浏览/下载：92/14  |  提交时间：2010/03/08 chemical vapour deposition  elemental semiconductors  energy gap  germanium  Ge-Si alloys  photoluminescence  semiconductor epitaxial layers  semiconductor quantum wells  silicon  tensile strength