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  • 专利 [33]
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  • 2012 [33]
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Surface-emitting semiconductor laser and method for manufacturing thereof as well as optical device 专利  OAI收割
专利号: EP1528647B1, 申请日期: 2012-12-26, 公开日期: 2012-12-26
作者:  BABA, TOSHIHIKO;  MATSUZONO, ATSUSHI;  FURUKAWA, AKIO;  SASAKI, SATOSHI;  HOSHI, MITSUNARI
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Pon tester 专利  OAI收割
专利号: GB2468396B, 申请日期: 2012-12-12, 公开日期: 2012-12-12
作者:  HARLAN KASSLER;  SEYMOUR GOLDSTEIN
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一种超高压输电线路断股修复捋线装置 专利  OAI收割
专利类型: 实用新型, 专利号: CN202586159U, 申请日期: 2012-12-05, 公开日期: 2012-12-05
作者:  李树军;  王洪光;  石惠文;  赵治国
收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2013/10/15
High power, high efficiency quantum cascade lasers with reduced electron leakage 专利  OAI收割
专利号: US8325774, 申请日期: 2012-12-04, 公开日期: 2012-12-04
作者:  BOTEZ, DAN;  SHIN, JAE CHEOL
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High performance ZnO-based laser diodes 专利  OAI收割
专利号: US8306083, 申请日期: 2012-11-06, 公开日期: 2012-11-06
作者:  LIU, JIANLIN;  CHU, SHENG
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Thermal management for solid state high-power electronics 专利  OAI收割
专利号: US20120273164A1, 申请日期: 2012-11-01, 公开日期: 2012-11-01
作者:  VETROVEC, JAN
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Light-emitting apparatus, phosphorescent portion, and method of producing the same 专利  OAI收割
专利号: US8287760, 申请日期: 2012-10-16, 公开日期: 2012-10-16
作者:  ISHIDA, MASAYA;  MORIOKA, TATSUYA;  HANAOKA, DAISUKE;  TANEYA, MOTOTAKA;  FUJITA, SHIGEO
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Fast axis beam profile shaping for high power laser diode based annealing system 专利  OAI收割
专利号: US8288683, 申请日期: 2012-10-16, 公开日期: 2012-10-16
作者:  JENNINGS, DEAN;  MAYUR, ABHILASH J.;  THOMAS, TIMOTHY N.;  PARIHAR, VIJAY;  ACHUTHARAMAN, VEDAPURAM S.
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Power control circuit for optical information recording device 专利  OAI收割
专利号: USR43723, 申请日期: 2012-10-09, 公开日期: 2012-10-09
作者:  CHUANG, YING-LANG
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Single-shot pulse contrast measuring device based on non-harmonic long-wavelength sampling pulse 专利  OAI收割
专利号: US20120228501A1, 申请日期: 2012-09-13, 公开日期: 2012-09-13
作者:  QIAN, LIEJIA;  MA, JINGUI;  YUAN, PENG;  WANG, YONGZHI;  ZHANG, DONGFANG
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