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• 上海微系统与信息技... [38]

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发表日期

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浏览/检索结果: 共38条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位    发表日期：2008     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 相变存储器电学性能测试系统与存储性能演示系统研究 学位论文  OAI收割 硕士, 上海微系统与信息技术研究所: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 2008 梁爽 收藏  |  浏览/下载：69/0  |  提交时间：2012/03/06 相变存储器  自动化测试  疲劳特性  VC++6.0  LabVIEW   Polycrystalline Si-rich SiSbx bottom heating layer for phase change memory 期刊论文  OAI收割 ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS, 2008, 卷号: 11, 期号: 6, 页码: H147-H149 Rao, F; Song, ZT; Zhang, T; Gong, YF; Wu, LC; Feng, SL; Chen, B 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/03/24 THIN-FILMS  THERMAL-CONDUCTIVITY  SILICON   Investigation of environmental friendly Te-free SiSb material for applications of phase-change memory 期刊论文  OAI收割 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2008, 卷号: 23, 期号: 5, 页码: 55010-55010 Zhang, T; Song, ZT; Liu, B; Feng, SL 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/03/24 RANDOM-ACCESS MEMORY  CRYSTALLIZATION  TRANSITION  STORAGE  FILMS   Reactive-ion etching of Sn-doped Ge2Sb2Te5 in CHF3/O-2 plasma for non-volatile phase-change memory device 期刊论文  OAI收割 THIN SOLID FILMS, 2008, 卷号: 516, 期号: 21, 页码: 7871-7874 Xu, C; Liu, B; Song, ZT; Feng, SL; Chen, BM 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/03/24 RANDOM-ACCESS MEMORY  OXYGEN  TRANSITION   Oxidant addition effect on Ge2Sb2Te5 phase change film chemical mechanical polishing 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 2008, 卷号: 155, 期号: 11, 页码: H929-H931 Zhong, M; Song, ZT; Liu, B; Feng, SL; Chen, B 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/03/24 CHANGE MEMORY   Comparison of the crystallization of Ge-Sb-Te and Si-Sb-Te in a constant-temperature annealing process 期刊论文  OAI收割 SCRIPTA MATERIALIA, 2008, 卷号: 58, 期号: 11, 页码: 977-980 Zhang, T; Cheng, Y; Song, ZT; Liu, B; Feng, SL; Han, XD; Zhang, Z; Chen, B 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/03/24 TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPY  RANDOM-ACCESS MEMORY  PHASE-CHANGE  GE2SB2TE5 FILMS  DATA-STORAGE  THIN-FILMS  GROWTH  TRANSITION  SI2SB2TE5   Germanium nitride interfacial layer for chalcogenide random access memory applications 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2008, 卷号: 1, 期号: 1, 页码: 11201-11201 Shen, J; Liu, B; Song, Z; Xu, C; Rao, F; Liang, S; Feng, S; Chen, B 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/03/24 CHANGE OPTICAL DISK  PHASE-CHANGE MEMORY  GE2SB2TE5 FILM  HIGH-DENSITY  DEVICE   Reactive ion etching as cleaning method post chemical mechanical polishing for phase change memory device 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 25, 期号: 2, 页码: 762-764 Zhong, M; Song, ZT; Liu, B; Feng, SL; Chen, B 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/03/24 CELL-ELEMENT  BEAM METHOD   Properties of seamless W sub-micro electrode used for phase change memory 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 2289-2291 Feng, GM; Song, ZT; Liu, B; Feng, SL; Wan, XD 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/03/24 Switching reliability improvement of phase change memory with nanoscale damascene structure by Ge2Sb2Te5CMP process 期刊论文  OAI收割 ELECTRONICS LETTERS, 2008, 卷号: 44, 期号: 4, 页码: 322-323 Zhong, M; Song, ZT; Liu, B; Wang, LY; Feng, SL 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/03/24